数字电路08第七章半导体存储器.ppt

7.3* DRAM:四管动态MOS存储单元 T1 T2交叉连接作存储器用，数据以电荷的形式存储在T1 T2的寄生电容C1和C2上，而C1和C2上的电压又控制着T1 T2的导通或截止，产生位线B和B’上的高、低电平。 C1被充电，且使C1上的电压大于开启电压，同时C2没被充电， T1导通、T2截止。VC1=Q’=1，VC2=Q=0，存储单元存0状态。 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 动态存储单元的电路结构还可以更简单，进一步提高存储密度，降低成本 单管电路 DRAM芯片组 成的内存模块 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 方法：所有输入信号都并联(地址信号、片选信号和读写信号); 输出各自独立。 N= 目标存储器容量 已有存储芯片容量 需要片数N=8 例：用1024字×1位RAM芯片构成1024字×8位RAM存储器 例：用256字×8位RAM芯片组成1024字×8位存储器。 需要片数N=4 7.4.2 字扩展方式 N= 目标存储器容量 已有存储芯片容量 各片地址分配情况： 000H 0FFH 100H 1FFH 2FFH 3FFH 200H 300H 当要求字和位同时扩展时，先字扩展或先为扩展都可以，最终结果都是一样的。 7.5 用存储器实现逻辑函数 1. ROM的地址输出为二进制译码，既输出为地址变量的最小项 2. 存储矩阵根据其存储内容，实现数据输出为各最小项的或运算 例7.5.1用ROM实现由8421-BCD码到八段显示器的译码器。 ROM的简化表示方法。 都转换为4变量函数 题[7-3] 某台计算机内存设置为32位地址线，16位并行数据输入/输出，问其最大存储量是多少？ 最大存储容量＝232×16b（bit，比特）＝236b ＝233B（Byte字节）＝223kB＝213MB＝23GB＝8GB 寻址能力或寻址空间是系统性能参数之一 第7章 习 题 题[7-4] 试用4片4k×8位的RAM芯片组成16k×8位的RAM存储器。 题[7-5] 试用4片2114(1024×4的RAM芯片)和3-8译码器74LS138实现4096×4位的RAM存储器。 注意74138的使用！ * 第七章 半导体存储器 7.1 概述 半导体存储器是固态存储器SSD (Solid State Drives) ，具有存储密度高，体积小，容量大，读写速度快，功耗低等优点! 分类： 掩模ROM 可编程ROM (PROM--Programmable ROM) 可擦除可编程ROM (EPROM--Erasable PROM) 随机存储器RAM (Random Access Memory) 静态存储器SRAM (Static RAM) 主要用于高速缓存和服务器内存 动态存储器DRAM (Dynamic RAM) 按功能特点 EEPROM (Electrically EPROM)/E2PROM 只读存储器ROM (Read- Only Memory) Flash Memory (快闪存储器，如U盘) FRAM (Ferro-electric RAM 铁电存储器) SDRAM, DDR-RAM等 非挥发存储器（Non-Volatile Memory--NVM） 挥发存储器（Volatile Memory--VM）或者称易失存储器 1. ROM的构成 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量：用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 7.2.1 掩模只读存储器 7.2 只读存储器ROM 存储单位:字 2. 工作原理 ROM是组合逻辑电路 d3=W1+W3=A’1A0+A1A0 3. 看待ROM（存储器）的三个不同的角度 组合逻辑 查找表 (Look-up table) 译码－编码的过程 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地址 真值表 输入变量 输出变量 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 4. 数据与存储矩阵对应关系 存储器的容量: 字数 x 位数 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 编程时VCC和字线电压提高 写入时，要使用编程器 7.2.2 可编程只读存储器PROM 7.2.3 可擦除可编程只读存储器 一、EPROM(UVEPROM-Ultra Violet) SIMOS: Stacked-gate Injection