高压gaas微型太阳电池阵列的制备 fabrication of high voltage gaas micro-solar cell arrays.pdfVIP

高压GaAs微型太阳电池阵列的制备 白一鸣1，陈诺夫1’h，王彦硕b，王俊孙，黄添懋h，汪 宇妫， 张兴旺h，尹志刚28，张汉h，吴金良h，姚建曦1 (1．华北电力大学新能源与可再生能源北京市重点实验室．北京1(122()6； 2．中国科学院半导体研究所a．材料重点实验室； b．光电子器件国家工程中心，北京 1(J()()}{3) 摘要：为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能，对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究 改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性／非选择性湿法腐蚀工艺的探索，实现了对最佳 互连结构，不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连，而且极大地降低了侧壁栽流子复合 流，同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺 进，获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流一电压(J。。一V呲、)测试结果显示，器件和腐型电改的 开路电压达到84．2V，填充因子为57％。 关键词：微型电源；GaAs太阳电池；漏电流；湿法腐蚀工艺；互连结构 中图分类号：TM914．4文献标识码：A 文章编号：167卜4776(2【)11)()4一()22(卜()5 of Fabrication GaAsMicro—SoIarCelI HighVoltage Arrays Yin Han2a，Wu YaoJianxi angXingwangh，Zhigangh，Zhang Jinliangh， ‘1．NeⅥundRPnPuInblP c}litluElPct“cPc)Wer Ewrgy‘’fBPijin簌KPylm})()rut(1r，，North Uniuersity， 1(122【)6．C^i”Ⅱ；2．a． MnfPriⅡ，sSc‘iP，I(’P；b．N“，iD玎“f BPiJi”g KP了f，Ⅱ60rn，o，≯o，SF”Ii(’o，Ic，“(’，or E”gi艘PPri，lg RPseurchCentef DevicPs，lllstituteSPtniconductors，(?hinPsPSciences， ft¨‘()ptoPlecIronic t)f AcudP7ny‘1f 1()(11183，【、^i”n) BP0j，jg Themainfabrication were and inorderto the Abstract： processesinvestigatedimproved improve ofGaAsmicro—solarcells．The wascarriedout selective／unseIective outputperformance etching forthe backcathodeandmesaofthe andthecontrolofthe et— layer， ceIl， cap Iayer optimum solut