干膜工艺介绍.pptVIP

基本工艺要求 电镀铜＋锡或锡铅 以电镀供应商工艺要求为准。 去膜： SES工艺流程详细介绍 去膜的作用： 通过强碱溶液（一般为NaOH溶液，浓度为2-3%）将覆盖在铜面上抗电镀的干膜去掉。 SES工艺流程详细介绍 去膜： 去膜的原理： C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O H C O O C O O C O O C O O C O O C O O C O O C O O H C O O C O O C O O － － － － － － － － － － － N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ N a ＋ 去膜 N a O H / H 2 O R e l a x a t i o n 去膜 基本工艺要求 去膜液浓度 ：2.0~3.0%（NaOH浓度） 去膜液温度 ：45~55 ℃ 去膜压力 ：2.0~3.0kgf/cm2 水洗压力 ：1.0~3.0kgf/cm2 去膜点 ：50~60％ SES工艺流程详细介绍 蚀刻： 蚀刻的作用： 用蚀刻液将非线路图形部分的铜面蚀刻掉，而在锡或锡铅下的铜则不能被蚀刻。 SES工艺流程详细介绍 去锡/锡铅： 去锡/锡铅的作用： 用去锡/锡铅药液将锡/锡铅去掉，露出需要的线路。 基本工艺要求 蚀刻、去锡/锡铅 以蚀刻药水和去锡药水供应商工艺要求为准。 工序注意事项 去膜 各段喷嘴不能堵塞； 去膜液浓度不可超出控制范围； 去膜液要定期更换，需要有自动添加，保证不能超过药水负载量； 去膜段干膜过滤系统工作良好，并定期清理膜碎； 去膜后水洗干净，板子表面不能有残膜； 吹干段不能有大量水带入蚀刻段。 5.常见缺陷图片及成因 短路(划伤造成) 短路(去膜不净) 短路(銅渣造成) 短路(銅渣造成 短路(銅渣造成) 短路(膜下雜物) 短路(膜下銅渣) 短路(銅渣造成 ) 短路(滲鍍) 5.常见缺陷图片及成因 開路(膜碎造成) 開路(膜碎造成) 開路(膜碎造成) 開路(膜碎造成) 劃傷,蝕刻後 劃傷,蝕刻後? 凸起,雜物造成 缺口,膜碎造成 6. 讨论 谢 谢 大 家！  干膜介绍及干膜工艺详解 2013-01 主要内容安排： 1.干膜介绍及发展趋势 2.线路板图形制作工艺(以SES流程为例) 3.基本工艺要求 4.各工序注意事项 5.常见缺陷图片及成因 6.讨论 1. 干膜介绍及发展趋势 干膜(Dry Film)的用途： 干膜是一种感光材料，是PCB生产中的重要物料，用于线路板图形的转移制作。近几年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金工艺。 干膜的特性： 感光聚合、感光后耐酸不耐碱、不导电，因此可用作抗蚀层或抗电镀层。 1. 干膜介绍及发展趋势 干膜的结构  1. 干膜介绍及发展趋势 干膜的主要成分: 1. 干膜介绍及发展趋势 干膜性能的评估 解晰度 附着力 盖孔能力 填凹陷能力 其他 1. 干膜介绍及发展趋势 为了达到线路板的多层和高密度要求，目前干膜一般解像度要达到线宽间距（Ｌ/Ｓ）在50/50um。但在半导体包装（BGA, CSP)上，线路板一般设计在 L/S在 25-40 um。必需要高解像度的干膜（L/S = 10/10 um）。为了满足客户要求、我们公司目前新型干膜的解像度可达到L/S = 7.5/7.5 um。 干膜的发展趋势 1. 干膜介绍及发展趋势 解晰度测试:45/45微米 SEM: 45/45微米 1. 干膜介绍及发展趋势 25um Dry Film，L/S=7.5/7.5um 干膜介绍及发展趋势 ASAHI干膜主要型号及特点 干膜型号 厚度(um) 特点 YQ-40SD YQ-40PN 40 针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能等 YQ-30SD 30 适用于DES流程，主要用于内层制作，解析度方面较好 YQ-50SD 50 针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点 AQ-4088 40 针对DES流程具有良好的盖孔、耐酸性、追从性等特点,也适用于电镀流程. SPG-152 15 适用于生产1.5mil的精细线路 ADV-401 40 适合于LDI工艺 两种镀通孔线路板制作的比较 贴膜 曝光 电镀铜/锡或锡/铅 蚀板 去膜 碱性蚀板 　 脱锡或锡/铅 　 　 　 基铜 玻璃纤