第四讲功率场效应管.pptVIP

1.结构和工作原理 (1). 绝缘栅双极型晶体管的结构 IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶 闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。 IGBT的结构、符号及等效电路 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E (2). 绝缘栅双极型晶体管的工作原理 当UDS＜0时，J3PN结处于反偏状态，IGBT呈反向阻断状态。 当UDS＞0时，分两种情况： ① 若门极电压UG＜开启电压UT，IGBT呈正向阻断状态。 ② 若门极电压UG＞开启电压UT，IGBT正向导通。 2. IGBT的主要特性 (1) IGBT的伏安特性 伏安特性表示器件的端电压和电流的关系。对IGBT来说，就是以栅射电压UGE为参变量时，集电极电流IC和集射电压UCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与GTR基本相似，不同之处是以栅射电压UGE为参变量，而不是基极电流。 UCE0是反向阻断状态。 UCE0时，也可分为饱和区、放大区和正向阻断区， UCE再增加可以进入击穿区。开关器件IGBT常工作于饱和状态和阻断状态，若IGBT工作于放大状态将会增大IGBT的损耗。 IGBT的伏安特性和转移特性 (2) IGBT的转移特