Mg2Si电子结构和光学性质的研究.pdfVIP

1 Mg Si 电子结构及光学性质的研究 2 陈茜，谢泉，闫万珺，杨创华，赵凤娟 贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州大学电子科学与信息技术学院， 贵州贵阳（550025 ） E-mail：chenzhangqianer@163.com 摘 要：采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg Si基态的电子结构、态密 2 度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0.2994eV；其价带主 要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成； 静态介电常数ε1(0)=18.89；折射率n0 =4.346