微型计算机原理及接口技术电子教案_第五章_西电版.ppt

微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.2 常用存储器芯片及连接使用 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 6264芯片：8K×8bit 引线（P189） A12～A0 D0～D7 CS1、CS2 OE WE 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 工作过程、时序 P190、P197～198 写时序地址 → 片选 → 数据 → 写信号 → …… → 撤写信号 → 撤其它信号 读时序地址 → 片选 → 读信号 → 数据有效 → 撤读信号 → 撤其它信号 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 二、连接使用 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 二、连接使用 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 二、连接使用 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 二、连接使用 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 三、连接举例 2. 利用ROM作译码器 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 三、连接举例 2. 利用ROM作译码器 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 三、连接举例 3. 利用数字比较器作译码器 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 三、连接举例 4. 利用PLD作译码器 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 四、存取时间 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 工作过程、时序 P190、P197～198 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 工作过程、时序 P190、P197～198 微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.2.2 EPROM 2764芯片：8K×8bit 引线 A12～A0 D7～D0 CE：片选 OE：数据输出允许 PGM编程时：编程脉冲输入读时：“1” 5.2.2 EPROM 【例】利用2732和6264构成从00000H～02FFFH的ROM存储区和从03000H～06FFFH的RAM存储区。画出与8088系统总线的连接图。（不考虑板内总线驱动） 【分析】 ROM区：共12KB → 需3片 RAM区：共16KB → 需2片 5.2.2 EPROM 编程 5.2.2 EPROM 编程 5.2.2 EPROM 编程 5.2.3 E2PROM 1. 典型 E2PROM 芯片介绍 引线 A12～A0、D7～D0 CE 片选 0 0 OE 输出允许 0 1 WE 写允许 1 0 Ready/Busy 漏极开路，写入数据为低，写完数据为高 5.2.3 E2PROM 1. 典型 E2PROM 芯片介绍 工作过程 读：当CE=0, OE=0,WE=1 写：① 按字节；② 按页 5.2.3 E2PROM 1. 典型 E2PROM 芯片介绍 5.2.3 E2PROM 1. 典型 E2PROM 芯片介绍 连接使用 P205～206 START: MOV AX,0E00H ;段地址 MOV DS,AX MOV SI,0000H ;地址指针 MOV CX,2000H ;共2000H个字节（8KB） ;（循环次数） GOON: MOV AL,55H ;要写入的内容55H MOV [SI],AL ;写入 CALL T20MS ;延时20ms,确保时间够写入 INC SI ;地址指针加1 LOOP GOON HLT 5.2.3 E2PROM 2. 闪速 E2PROM ：Flash 引线：与27C040兼容。 EEPROM的字节编程过程 EEPROM的擦除：(a)整片擦除(b)块擦除 微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.2.4 其他存储器 1. 双端口存储器 5.2.4 其他存储器 1. 双端口存储器 竞争的消除 5.2.4 其他存储器 1. 双端口存储器 5.2.4 其他存储器 2. 先进先出(FIFO)存储器 5.2.4 其他存储器 2. 先进先出(FIFO)存储器 5.2.5处理器上的总线设计 微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.3 DRAM 5.3.1 概述：Intel 2164A SRAM 与 DRAM 5.3 DRAM 5.3.1 概述：