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footer footer PCB流程-图形电镀蚀刻 ※制程目的 加厚线路及孔内铜厚，使产品达到 客户要求 图形电镀制程目的 图形电镀工艺流程 ※工艺流程 上板→除油→水洗→微蚀→水洗→ 酸浸→镀铜→水洗→酸浸→镀锡→水 洗→下板→退镀→水洗→上板 图电工序主要工艺参数 流程 主要药水成分 主要工艺参数 作用 除油 Acid Cleaner ACD（ATO） 操作温度：28-32℃、操作时间：3-5min、浓度：15%-20% 清洁板面 微蚀 NPS（过硫酸钠）+H2SO4 操作温度：24-28 ℃、操作时间：1-2min、微蚀速率：0.7-1.3um/cycle 去除氧化物、粗化铜面 酸浸 H2SO4 操作温度：室温、操作时间：0.5-1min、浓度：7%-12% 去除轻微氧化及维持药水浓度 镀铜 CuSO4、Cl-、H2SO4、光剂 操作温度： 22-27℃、镀铜时间：86min或更长 加厚铜 镀锡 SnSO4、H2SO4、光剂 操作温度： 18-22℃、镀锡时间：10min或更长 镀锡为碱性蚀刻提供抗蚀层 退镀 HNO3 操作温度：室温、退镀时间：5-8min 去除电镀夹具上的镀铜 流程详解 ※除油（Acid Clean) 1、流程目的：清洁铜面，去除上工序的 残膜及人手接触后的指印等油性污垢（使 用酸性溶液，以免使干膜受损）。 2、主要成分：Acid Cleaner ACD(ATO) 3、操作温度：28-32 ℃ 4、处理时间：3-5min 流程详解 ※微蚀（Micro Etch) 1、流程目的：除去铜面上的氧化物,粗化 铜面，提高镀层结合力。 2、主要成分：过硫酸钠、硫酸 3、操作温度：24-28℃ 4、处理时间：1-2min 流程详解 ※镀铜预浸（Pre-dip for Cu Plate) 1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微 氧化；维持镀铜缸之酸度，减小镀铜缸成 份的变化。 2、主要成分：硫酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：0.5-1min 流程详解 ※镀铜（Copper Plate) 1、流程目的：在酸性硫酸铜镀液中，铜离 子不断的得电子被还原为金属铜，沉积在 板面及镀铜孔内，直至达到所需的厚度。 2、主要成分：硫酸、硫酸铜、氯离子、 Brightener 125T-2(RH)、 Carrier 125-2(RH) 3、操作温度：22-27℃ 4、处理时间：86min 流程详解 ※镀锡预浸（Pre-dip for Tin Plate) 1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微 氧化；维持镀锡缸之酸度，减小镀锡缸各 主要成分变化。 2、主要成分：硫酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：0.5-1min 流程详解 ※镀锡（Tin Plate) 1、流程目的：在酸性硫酸亚锡镀液中，亚 锡离子不断的得电子被还原为金属锡，沉 积在已经镀铜的板面及孔内，直至达到所 需的厚度。 2、主要成分：硫酸、硫酸亚锡 EC Part A(RH) EC Part B(RH) 3、操作温度：18-22℃ 4、处理时间：10min或更长 流程详解 ※夹具退铜（Rack Strip) 1、去除电镀夹具上的镀铜，方便下一循环 的电镀进行。 2、主要成分：硝酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：5-8min 图形电镀设备 待图电的板 图电后的板 蚀刻工序 ※制程目的 蚀掉非线路铜（底铜和板电层）， 获得成品线路图形，使产品达到导通 的基本功能。 蚀刻工艺流程 ※工艺流程 退膜→水洗→蚀刻→水洗→退锡 →水洗→烘干 蚀刻工序主要工艺参数 流程 主要药水成分 主要工艺参数 作用 退膜 NaOH 浓度：1.8%-3.0% 操作温度：28-50℃ 速度：2.0-4.0m/min 压力：2.0-2.5bar 退掉干膜 蚀刻 CuCl2 NH4Cl NH4Cl 比重：1.170-1.190 操作温度：48-52 ℃ 速度：2.0-5.0m/min 压力：1.5-3.3bar 蚀掉非线路铜层 退锡 SS-188（HNO3） 总酸度：3.8-4.5N 操作温度：20-38 ℃ 速度：2.0-4.0m/min 压力：1.8-2.2bar 退掉抗蚀层-镀锡层 流程详解 ※退膜 退膜制程所使用的化学药液以NaOH为 主，药液浓度在1-3%左右（重量比），槽 液温度在30-50℃左右。 之所以采用NaOH作为退膜药液主要是因 为其对已硬化的干膜有较好的溶解性能， 且价格低廉。 流程详解 ※碱性蚀刻 1