半导体物理2010(第五章).pptVIP

§5.5 陷阱效应 作业 ⒈以热平衡状态下非均匀掺杂的P型半导体为例，证明爱因斯坦关系式： ⒉一均匀掺杂的p型半导体样品，温度T时在一端有光照产生非平衡载流子，半导体非平衡载流子的产生率为g，光照表面处的非平衡载流子浓度为(Δn)0。已知少子的寿命为τ，迁移率为μ，样品足够厚。在小注入条件下，求： ⑴稳态时半导体中非平衡少子的浓度分布； ⑵稳态时光照表面处的电子扩散电流密度(Jp)扩。 可以看出，非平衡少数载流子从光照表面向内部是指数衰减的。其中的Lp是非平衡子载流子平均扩散距离（扩散长度） 相应的空穴扩散流密度为： §5.6 载流子的扩散运动 2.样品厚度一定（为W） 假设在样品另一端设法将非平衡少数载流子全部引出 边界条件 可得 §5.6 载流子的扩散运动 解此联立方程得 若 则上式简化为： §5.6 载流子的扩散运动 可以看出，此时非平衡载流子在样品内呈线性分布 扩散流密度 这是一种非平衡载流子在样品中扩散时没有复合的情况，晶体管中基区宽度远小于载流子的扩散长度，所以基区非平衡载流子分布符合该情况。 总结 求解一维稳定扩散非平衡载流子的分布，先由非平衡少数载流子的稳态扩散方程，写出其通解形式，通解中的参数将由具体的半导体的边界条件来确定。 §5.6 载流子的扩散运动 二、三维稳定扩散的情况 考虑三维情况，非平衡载流子的分布Δp不仅与x有关，与y、z都有关系。假定载流子各个方向的扩散系数相同，三维扩散流密度为： 扩散流密度的散度的负值就是单位体积空穴的积累率 §5.6 载流子的扩散运动 在稳定情况下就等于单位时间在单位体积内由于复合消失的空穴数，即： 相应三维情况下非平衡载流子空穴和电子的扩散电流密度： ——三维非平衡空穴的稳态扩散方程 ——三维非平衡电子的稳态扩散方程 §5.6 载流子的扩散运动 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 一、载流子的漂移运动和扩散运动同时存在的情况 若n型均匀掺杂半导体，沿x方向加一均匀电场，同时在表面处光注入非平衡载流子，那么载流子除了要做漂移运动外，还要做扩散运动，二者都是定向运动，都会在材料中引入电流密度。 半导体处于非平衡状态，有外加电场时： (Jp)漂 (Jn)漂 (Jp)扩 (Jn)扩 空穴总电流密度 电子总电流密度 可以看出，迁移率是反映载流子在电场作用下的漂移运动难易程度的物理量，而扩散系数则反映了载流子在浓度梯度作用下扩散运动难易程度的物理量。爱因斯坦从理论上找到了二者之间的定量关系——爱因斯坦关系式。 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 二、爱因斯坦关系的证明 考虑热平衡状态的非均匀的n型半导体，施主杂质浓度随x的增加而下降，因而平衡时的电子浓度和空穴浓度都是位置x的函数，可以写为 和 。 由于浓度梯度的存在，必然引起载流子在x方向的扩散，产生扩散电流。 +施主电离杂质 电子 (Jn)扩 ε (Jn)漂 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 载流子的扩散使载流子有均匀分布的趋势，载流子移动走后，留下的是不可移动的带正电的电离施主，所以载流子扩散的结果使半导体内部不再处处保持电中性，产生自建电场ε，沿着x方向。在自建电场作用下，载流子产生的漂移电流密度： 平衡时不存在宏观电流，漂移运动是反抗扩散运动的，因此电子总电流和空穴总电流均等于0 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 考虑多子的电流密度，可得 半导体自建电场的出现，使半导体各处的电势不等，即V(x)，它与电场强度ε的关系为： 在非简并情况下，平衡电子的浓度表达式中的导带底电子能量由 ，则此时： 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 求导得 代入可得爱因斯坦关系式： 爱因斯坦关系式表明了载流子迁移率和扩散系数之间的关系。推导中针对的是平衡载流子，实际对非平衡载流子也一样适用。 同理 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 利用爱因斯坦关系，可以得到半导体中总电流密度为 综合考虑均匀和非均匀半导体，扩散电流应由载流子的总浓度梯度dn/dx和dp/dx所决定，上式可写为 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程式 一、非平衡状态下少数载流子的连续性方程 以一维n型半导体为例，数学理论已指出，粒子流密度矢量的散度的负值即为其积累率，在一维情况下就是粒子流密度对位置的一阶导数的负值即为该运动带来的积累率。 由于扩散单位时间单位体积中积累的空穴数 由于漂移运动，单位时间单位体积中积累的空穴数 小注入条件下，单位