半导体第五章非平衡载流子.ppt

在稳态时，积累的载流子应等于复合掉的载流子 平均扩散长度 2．典型样品的分析 (1) 厚样品 WLp W＞＞Lp x hν x △p 0 Lp ↑ ↑ ↑ 表面处的空穴 扩散流密度 向内扩散的空穴流的大小如同表面的空穴以 Dp/Lp的速度向内运动一样。 w 注入 抽出 x △p 0 w 常数 非平衡载流子在样品中没有复合 3．非平衡载流子的扩散电流密度 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 (Jp)扩→ (Jn)扩← 二、载流子的扩散和漂移运动 N型材料, 在 x 方向方向加光照、电场 (Jp)漂→ (Jn)漂→ x, E 1．少子空穴电流 非平衡少子扩散电流： +x方向 非平衡空穴和平衡空穴形成的漂移电流： +x方向 少子电流密度： 2．多子电流密度 非平衡多子形成的扩散电流： -x方向 平衡多子与非平衡多子的漂移电流： +x方向 若： 当 时， 最小, ui 极大 位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心 ● 如果 Et ? Ec，那么由 Ec—Et 决定的 n1 大， n1 决定发射电子的产生率 Qn=rnntn1 大，电子容易从 Et 能级上发射出去，进入导带，un=Rn—Qn?， ● 如果 Et? EV，那么 p1?，Et 能级向价带发射的空穴数 ?，Et 上净俘获的空穴几率 up?。 浅能级不能起有效的复合中心的作用  5 俘获截面 四、表面复合 —- 半导体表面发生的复合过程 1．表面复合率us us：单位时间流过单位表面积的非平衡载流子，单位：个/s·cm2 ：为样品表面处单位体积的非子数(表面处的非子浓度1/cm3) 少子的寿命受半导体的形状和表面状态的影响 个/s cm2 个/cm3 cm/s S比例系数，表征表面复合的强弱，具有速度的量纲，称为表面复合速度。 2．影响表面复合的因素及寿命表示式 (1) 表面粗糙度 (2) 表面积与总体积的比例 (3) 与表面的清洁度、化学气氛有关 在考虑表面复合后，总的复合几率为： 四、俄歇复合－－非辐射复合 载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子 －－空穴复合时，将多余的能量传给另一载 流子，使此载流子被激发到能量更高的能 级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余 的能量以声子形式放出。 n 型 p 型 俄歇复合 杂质带 §5.4 陷阱效应 陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用。 所有杂质能级都有一定的陷阱作用。 陷阱：有显著陷阱效应的杂质能级。 陷阱中心：相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 对于 的杂质， 电子的俘获能力远大于俘获空穴的能力， 称为电子陷阱。 ● ● 对于 的杂质， 俘获空穴的能力远大于俘获电子的能力， 称为空穴陷阱。 一、陷阱效应的类型 二、陷阱效应的分析 1．陷阱效应中的载流子浓度 稳态时陷阱上的电子浓度 nt 复合中心理论可用来分析有关陷阱效应的问题 为陷阱上的非子浓度 为俘获电子， 电子陷阱 为俘获空穴， 空穴陷阱 nt0 稳定时陷阱上的电子浓度 2．陷阱上的电子对电导的间接贡献 没有陷阱时： 有电子陷阱后： 三、有效陷阱效应 假设电子陷阱，rn rp 当： 俘获的电子最多 最大 时， 电子陷阱最有效 ●当 EtEF 时，Ec－Et 小，n1 大，电子从 Et 激发到 Ec 的几率大； ●当 EtEF 时，在热平衡态时，Nt 中大部分已被电子占有，空穴很少，??nt 小 ，不起陷阱作用 ? 对 电子陷阱，EF 以上的能级，越接近 EF, 陷阱效应越显著。 EF 以下的能级，不起陷阱作用。 电子陷阱是存在于P型材料中 空穴陷阱是存在于N型材料中 实际上遇到的常是少数载流子的陷阱效应 电子落入陷阱后，不直接与空穴复合，它们必 须首先被激发至导带，再通过复合中心而复合 陷阱增长了从非平衡态恢复到平衡态的时间 四、饱和陷阱 以电子陷阱为例： 达到平衡时： 要达到饱和： ● n很大，可以忽略n1 ∵n=n0+?n，n很大，说明?n很大，大注入 ● n1很小，说明陷阱中心的位置远离导带 深陷阱和浅陷阱 Ec Ev Et1 Et2 t △p (△p)o/e τ τ’ ↓ 浅陷阱 ↓ 深陷阱 陷阱的存在影响对寿命的测量 §5.5 非平衡态下载流子的运动 对非平衡载流子有两种定向运动： ●电场作用下的漂移运动； ●浓度差引起的扩散运动。 一、非平衡载流子的扩散运动和扩散电流 1．非子的扩散运动和一维稳态时的扩散方程 均匀掺杂的N型半导体 非子从一端沿整个表面均匀产生， 且只在x方向形成浓度梯度 ， 非子是沿x方向运动。 光照 x 非平