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2017-09-02 发布于天津
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扇区擦除时间256kb2

特性 S26KS512S S25FS512S MT25QU512AB MX66U51235F 接口 HyperBus Quad SPI Quad SPI Quad SPI I/O引脚计数 8 4 4 4 时钟频率（DDR） 166 MHz 80 MHz 66 MHz 不支持 DDR的读带宽（最大值） 333 MBps 80 MBps1 67 MBps1 不支持编程时间（512 B）2 0.475 ms 0.475 ms 0.4 ms3 2.0 ms3 扇区擦除时间（256 KB）2 930 ms 930 ms 600 ms4 1,600 ms4 芯片擦除时间2 220 s 220 s 153 s 200 s 温度范围 -40o C到+125o C -40o C到+105o C -40o C到+105o C -40o C到+85o C 赛普拉斯1.8 V 512 Mb（KS512S） HyperFlash存储器与竞争对手方案的比较 1 使用带有QIO的DDR时钟频率进行计算 2 条件：25oC和VCC 3.0 V，最少擦写次数为十万次 3 不支持512 B编程的器件。通过执行两个256 B编程操作可以计算编程时间 4 不支持256 KB扇区擦除的器件。通过执行四个64 KB扇区擦除可以计算擦除时间竞争力比较特性 S26KL512S S79FL512S S25FL512S MT25QL512AB MX25L51245F 接口 HyperBus 双Quad SPI Quad SPI Quad SPI Quad SPI I/O引脚计数 8 8 4 4 4 时钟频率（DDR） 100 MHz 80 MHz 80 MHz 66 MHz 100 MHz DDR的读带宽（最大值） 200 MBps 160 MBps1 80 MBps1 67 MBps1 100 MBps1 编程时间（512 B）2 0.475 ms 0.25 ms 0.34 ms 0.4 ms3 0.5 ms3 扇区擦除时间（256 KB）2 930 ms 520 ms 520 ms 600 ms4 1,120 ms4 芯片擦除时间2 220 s 66 s 103 s 153 s 200 s 温度范围 -40o C到+125o C -40o C到+105o C -40o C到+125o C -40o C到+105o C -40o C到+85o C 赛普拉斯3 V 512 Mb（KL512S） HyperFlash存储器与竞争对手方案的比较 1 使用带有QIO的DDR时钟频率进行计算 2 条件：25oC和VCC 3.0 V，擦写次数通常为十万次 3 不支持512 B编程的器件。通过执行两个256 B编程操作可以计算编程时间。 4 不支持256 KB扇区擦除的器件。通过执行四个64 KB扇区擦除可以计算擦除时间竞争力比较赛普拉斯NOR闪存产品的关键特性之一便是通用的引脚分布，可为各种尺寸、产品系列和处理技术提供了相同的引脚分布情况，从而为客户提供可扩展的无缝解决方案。HyperFlash将这些特性集成在5 x 5 mm的球形焊盘BGA封装中。首先，我们将开始了解可提供80 MBps读取吞吐量的单路Quad SPI 六个有效信号（IO0 – IO3、CK和CS#）都以橙色显示。 * 支持CSP * 支持CSP 支持CSP 支持CSP 支持CSP 支持CSP * 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S HyperFlash?系列新产品介绍 001-98727 所有者：RYSU/HIIN 版本** 技术负责人：MAMC 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S HyperFlash?系列新产品介绍 001- 98727 所有者：RYSU/HIIN 版本** 技术负责人：MAMC 主题 * 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S HyperFlash?系列新产品介绍 001- 98727 所有者：RYSU/HIIN（MAMC、RHOE、DCN、EWOO、GHR、GMRL、JMY）版本** 技术负责人：MAMC * 附录 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S HyperFlash?系列新产品介绍 001- 98727 所有者：RYSU/HIIN 版本** 技术负责人：MAMC 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S HyperFlash?系列新产品介绍 001- 98727 所有者：RYSU/HIIN 版本** 技术负责人：MAMC 目标叙述 001-XXXXX Owner:Rev 0 D/M/YY Tech Lead: Title New Product I