4 Generation and Recombination 豊田工業大学（4代和重组豊田工業大学）.pdfVIP

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2017-09-02 发布于浙江
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4 Generation and Recombination 豊田工業大学（4代和重组豊田工業大学）

4 Generation and Recombination Updated May 9, 2012 4.1. Introduction : Semiconductor Transport Equations Chap 3 : current due to electrons and holes Chap 4 : carrier generation recombination Chap 5 : charge separation Transport equation Assumptions : 1) number of carriers of each type conserved 2) electrostatic potential by carrier – Poisson’s equation Continuity equations considering conservation of electrons and holes n 1 J  G U (4.1) t q n n n p 1  J  G U (4.2) t q p p p where Gn / p : volume rate of generation of electrons/holes U : volume rate of recombination of electrons/holes n / p Poisson’s equation 2 q   (4.3)   fixed  n p  s where  : electrostatic potential s : dielectric permittivity fixed : local density of fixed charge Let’s consider contiuity in a small volume. V A x (Fig. 4.1) 1 In unit time, considering only one directional current flow of electrons, carriers generatied Gn V carrier annihilated U V n  