s参数的简要回顾.pdf

第 1 章 S 参数的简要回顾 1.1 引言 本章对 S 参数进行简要介绍，主要目的是为更通用的 X 参数表达形式推导做铺垫。为 了在后文中使 X 参数更容易广义化，本章还将介绍时不变和频谱映射概念。S 参数的阐述 是按照校准测量、被测器件（DUT ）的本征特性、知识产权安全（IP-secure ）的元件行为 模型和线性系统设计的构成规则依次展开的。将两级线性 S 参数元件进行级联，以此作为 一个实例，考察后面的通用化非线性表达形式 。这里使用了简单的非线性器件模型的晶体 管 S 参数计算，以此作为一个实例引入静态工作点和小信号工作条件的概念，而这二者在 处理 X 参数时都必须广义化。 1.2 参数 自20 世纪 50 年代以来，S 参数或散射参数已成为整个微波理论与技术的最重要基础。 用矢量网络分析仪（VNA ）在高频测量 S 参数是很容易的，校准后测量的 S 参数代表 DUT 的本征特性，而与表征它的 VNA 系统本身无关。校准过程 [1] 消除了系统测量误差， 且能将属于该器件的真实数值从整个测量值中分离出来，而与用于表征它的测量系统本身 无关。这些 DUT 的性能（增益、损耗、反射系数等）是通用、直观且极为重要的 [2] 。S 参 数的另一个关键特性是：一个组合系统的 S 参数完全由构成部分元件的 S 参数和它们的通 用性所确定。S 参数提供了一个线性元件怎样对任意激励信号产生响应的完整技术性能。 因此用 S 参数设计线性系统的性能是绝对可预测的。S 参数在外部的端口接面上完整地定 义了该线性元件的行为描述，而与该元件的物理工艺或实现过程无关。S 参数能在它的提 供商与系统集成者之间自由共享，而不会使得元件实现过程被破解，从而保护了知识产权 （IP ），提供了共享和再利用的空间。读者可能要问这样一个问题：“S 参数是测量的还是建 立的一个模型？”答案是：两者都是。 S 参数不必仅来自于测量。它们可根据物理表示或通过求解麦克斯韦方程，或通过半导体 ·2 ·· 非线性射频和微波器件表征、建模和设计——X 参数理论基础 方程线性化，或线性等效电路的矩阵分析计算而演算出来。用最后这种方法，从该元件原理的 更详尽表示方法或从一个复杂线性电路模型开始，S 参数的许多优势能够在工程中实现。 在史密斯圆图范围内，基于图形法的发明使用使 S 参数变得可视化，且 图形设计方法 立即跟踪 电路设计[2, 3] 。现在，电子设计自动化工具提供 仿真元件：S 参数块，并利用 类似于 S 参数分析模型的设计能力。 S 参数最大 的用途之一是在测量、建模和设计功能之间提供交互性。人们可用测得的 S 参数表征元件。利用它们具有完整知识产权保护的特性，将其作为一个元件的高真实行 为模型，进而在 EDA 环境 中使用它们设计系统。 1.3 波变量 术语 “散射”表示入射和散射（反射和传输 的）传播波之间的关系。 习惯上，本书中的电路行为均采用广义化的功率波描述[2] 。在业界还使用另一些波定 义，这些定义将在附录 A 中连同本书中使用的通用符号一起介绍。 与一个网络特定端口相对应的波变量 A 和 B 定义为在同一端口上 电压 V 和 电流I 的线 性组合。如图 1.1 和式（1.1）所示 。 图 1.1 波变量定义 V + Z I A = 0 2 Z 0 （1.1） V − Z I B = 0 2 Z