崔占东储能脉冲电源-csiadd.ppt

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崔占东储能脉冲电源-csiadd

输出电压: 90 kV 峰值输出电流: 3 kA 脉冲前沿: 20 ns 脉冲宽度: 300 ns 单脉冲能量: 80 J 脉冲重复频率: 10Hz 基于DSRD的脉冲功率源 脉冲电压 : 50 kV 脉冲电流: 1 kA 脉冲上升时间: 3 ns 重复频率: 500 Hz 3.储能脉冲电源 3.2 电感储能式脉冲电源 3.2.2 DBD 导通型的脉冲波形压缩开关器件 可串联使用,在50Ω负载上可产生脉冲幅度达10KV、脉宽仅几纳秒、峰值功率达到几个兆瓦的脉冲 与SOS结合,可对SOS开关组件的高重复频率脉冲功率源输出的波形进行压缩 DBD实物照片 DBD与SOS配合使用 1kHz重频下SOS脉冲电源电流电压输出波形图:正向峰值电流1.09kA,反向峰值电流1.73kA,电流切断时间10.86ns。 DBD对波形的整形作用 3.储能脉冲电源 3.2 电感储能式脉冲电源 3.2.3 DSRD 与SOS类似,但输出脉冲前沿更快 脉冲电压: 2.5 kV 脉冲电流: 50 A 脉冲上升时间: 0.8 ns 重复频率: 400 kHz 输出电压 45kV 脉冲能量 0.15J 上升时间 ≤10ns 重复频率 0~2kHz 600×600×400mm3 脉冲幅度:46kV;上升时间:5ns;重复频率:2kHz 3.储能脉冲电源 3.3 多种器件的组合使用 实际应用中主电路可能在电容储能和电感储能中选择一种,但内部可能两种脉冲电源同时存在,根据应用系统对脉冲电源的需求,灵活选择 由DSRD和FID制造的中输出功率脉冲发生器 * * 储能脉冲电源 报告人:崔占东 中国电子科技集团公司第十三研究所 1.引言 2.器件基础 雪崩晶体管 RSD、SOS、DBD、DSRD、FID 3.储能脉冲电源 电容储能式脉冲电源 电感储能式脉冲电源 4.结束语 1.引言 上世纪60年代J C Martin 脉冲技术 在军事、民用、科学研究等领域均有广泛的用途 通讯、电子对抗、雷达 粒子加速器、受控核聚变研究 高频感应加热、污水处理、工业除尘与脱硫脱硝、尾气处理、大功率激光器、有机废物处理 俄罗斯科学家发明了RSD等系列固态器件,使储能脉冲电源技术进入新的阶段 2.器件基础 雪崩晶体管,一种特制的BJT,适合雪崩状态工作 RSD:Reverse Switched Dynistor FID:Fast Ionization Device DBD:Delayed Breakdown Device SOS:Semiconductor Opening Switch DSRD :Drift Step Recovery Device PCSS:PhotoConductive Semiconductor Switch 3.储能脉冲电源 3.1电容储能式脉冲电源 3.1.1 Marx电路 a. 气隙开关 b. 雪崩晶体管 可以实现1000V以上 亚纳秒脉冲 500kHz 通过串联并联 可以得到更高的电压 和更高的重复频率 低重复频率雪崩晶体管脉冲电源: 输出电压: ≥1200V (绝对值) 输出脉宽: ≤275ps 输出负脉冲前沿: ≤200ps 重复频率: 1Hz 负载阻抗: 50Ω 触发: TTL (上升沿) 尺寸: ≤200×200×50 高重复频率雪崩晶体管脉冲电源: 输出电压: ≥1000V 输出脉宽半高宽FWHM: ≤2ns 输出负脉冲前沿: ≤1ns 重复频率: ≥500kHz 负载阻抗: 50Ω 触发: TTL (上升沿) 尺寸: 146×10×40mm3 3.储能脉冲电源 3.1电容储能式脉冲电源 3.1.1 Marx电路 c. FID 首先偏置在临界击穿下,触发时再叠加一瞬时高压,使总电压超过器件本身耐压的两到三倍,器件会以非常

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