电路电子chap04题库.pptxVIP

4.2 半导体二极管;—— 导电能力介于导体和绝缘体之间; 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体;本征半导体中，载流子为自由电子和空穴。;本征激发;电子半导体;空穴半导体;4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主 要是 ，N 型半导体中的电流主要 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） ; 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半导体和 P 型半导体的结合面上形成PN结。物理过程如下:; 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。;4. PN结的单向导电性;由上述分析可知：;6. PN结的电压与电流关系;a. 当u = 0时，i = 0 ；;/v_show/id_XMTMzMDcxNjUy.html; (1) 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由N区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。; 图 01.10 扩散电容示意图;(a) 点接触型;;上页;;3. 二极管的主要参数;二极管的单向导电性; 5.二极管电路分析;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;上页;1. 符号 ;;;;;上页;晶体管（Transistor）由两个PN 结构成。 ;基区：最薄， 掺杂浓度最低;;;晶体管内部载流子的运动;IC = ICE+ICBO ? ICE;由上所述可知:;晶体管特性曲线是表示晶体管各极间电压和电流之间的关系曲线。;4.3.3 特性曲线;(1) 当uCE =0 时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线形状类似。 ;(2) uCE增加，特性曲线右移。 uCE的大小影响基区内集电结边界电子的分布。 (3) uCE 1V以后，特性曲线几乎重合。 uCE 1V以后，基区中集电结边界处的电子浓度很低。 (4) 与二极管的伏???特性相似 uBEUr 时，iB =0； Ur =0.5V (Si) Ur =0.1V (Ge) (5) 正常工作时 uBE=0.7V (Si) uBE= 0.2V (Ge);;O;晶体管输出特性曲线分三个工作区; 晶体管三个工作区的特点:;集电极基极间反向饱和电流 ICBO;(1) 直流电流放大倍数 ;(1) 交流电流放大倍数 ;(2)集电极发射极间穿透电流 ICEO ;集电极最大允许电流 ICM;5.温度对晶体管参数的影响 ;① 温度对ICBO的影响 ;② 温度对 的影响; 晶体管的曲线随温度升高间距增大。 ;③温度对基-射电压uBE的影响;