一种新型的抑制地线反弹噪声的tri-modemtcmos电路结构-微电子学.pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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一种新型的抑制地线反弹噪声的tri-modemtcmos电路结构-微电子学.pdf

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一种新型的抑制地线反弹噪声的tri-modemtcmos电路结构-微电子学

第卷第期微电子学 , 45 5 Vol.45 No.5 年月 2015 10 Microelectronics Oct.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种新型的抑制地线反弹噪声的Tri-Mode MTCMOS电路结构 , , , 杨文荣吴浩薛力升朱赛飞 ( , ) 上海大学微电子研究与开发中心上海 200072 : 。 , 摘要提出了一种新型的电路结构该结构在电路基础上 MTCMOS TriModeMTCMOS - , , 结合叠加门控技术进行电路结构改进解决了TriModeMTCMOS电路结构在高电压情况下抑 - 。 , 制地线反弹噪声效果不明显的问题电路采用SMIC0.18 mCMOS工艺设计使用HSPICE进 μ 。 , , , 行仿真仿真结果表明该结构与传统的电路相比平均地线反弹减少约比 MTCMOS 70% Tri - , , 。 ModeMTCMOS结构提高15%以上特别在高电压情况下平均提升40% : ; ; ; 关键词 MTCMOS 地线反弹叠加门控技术三相多阈值电路中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN47 A 1004-3365201505-0657-04 ANovelTri-ModeMTCMOSCircuitStructureforSu ressin pp g GroundBouncin Noise