一种单电源高集成度蔡氏振荡器-微电子学.pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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一种单电源高集成度蔡氏振荡器-微电子学.pdf

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一种单电源高集成度蔡氏振荡器-微电子学

第卷第期微电子学 , 46 5 Vol.46 No.5 年月 2016 10 Microelectronics Oct.2016 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种单电源高集成度蔡氏振荡器 1 2 1 , , 高同强孔卓杨海钢 ( , ; 1.中国科学院电子学研究所北京 100190 , ) 2.北京科技大学计算机与通信工程学院北京 100083 : , 摘要二端非线性电阻的实现是研究蔡氏电路中混沌现象的一个重要环节传统的非线性电阻、。大多采用正负电源供电的运放和电阻电容等分立器件来搭建在分析非线性电阻工作原理的基 , 。础上提出采用单电源供电的集成电路制造工艺实现负阻器件的思想设计的非线性负阻器件主、 / , 要由轨到轨运算放大器基准电压电流产生等模块组成并在0.18 m标准CMOS工艺下设计实 μ 。 , , 现仿真结果表明在 1.8V单电源工作模式下蔡氏电路两个关键节点的李萨如波形表现为双 , , 。螺旋吸引子证明该振荡器电路有效整个电路的功耗约为2.45mA : ; ; ; 关键词蔡氏电路非线性电阻工艺单电源 CMOS 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN433 A 1004-3365201605-0680-05 ASinleSu lHihl-InteratedChua’sOscillator g ppy g y g 1 2 1 , , GAOTon ian KONGZhuo YANGHaian gq g g g ( ,