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定量控制氧化物提拉过程动态模型摘要：一种定量控制氧化物提拉生长的动态模型首次被研发出来。当晶体的内部辐射被看作一个准稳态近似时，结晶结构不同部分和熔体对流模式的温度场计算用的是时间依赖性方法。用于三相点替换和晶体表面结构模拟计算的一种特殊算法已经很成熟。附带常用PID调节器的定量控制模型则用于热量变化的计算。例如，镓–钆石榴石（GGG）晶体生长过程的模拟，是从引晶阶段开始的。关键词：计算机仿真热传导借口直拉法氧化物介电材料简介高质量的氧化物单晶广泛用于制造大量医学、公共卫生服务、农业等领域所需的光学、声学设备以及其他设备。这些晶体的基本工业生产方法之一是chralski CZO（CZ）过程。随着氧化物晶体需求量的增加，高质量、大体积晶体的需求也随之增加，如此一来，氧化物晶体生长工业走上了与半导体生产工业同样的道路。然而，与半导体的生长不同的是，在氧化物晶体生长技术的发展中，模拟的作用仍然是相当实用的，因为生长过程中氧化物晶体的传热要复杂得多。当晶体的形状不随时间变化的时候，CZ生长模拟仍被局限于静态模型。因此，晶体拉伸的过程等也未被考虑在内。同时，半导体晶体提拉过程的动态仿真早已提出。当然，半导体增长的动态模型比氧化物要简单的多，因为在熔体中，热传输的影响并不显著，内部辐射也不存在，且界面曲率相当小。另一方面，对于氧化生长来说，基于时间的模拟似乎更重要。首先，作为通过翻转的结晶前的一个规则，氧化物晶体的生长是伴随性的，其次，晶体熔体系统的热惯性是相当大的，因此对控制系统的设计提出了很大的挑战。还需要强调的是晶体生长的时间依赖性模拟，目前为止仍未考虑生长过程的控制系统。动力学硅和砷化镓的直拉法增长被认为是唯一例外的研究。然而,在这些研究中,对流被认为微不足道，而且控制系统模型也被大大简化,因为晶体半径直接用作“测量”参数,而在实践中,这不能用于测量波长和定量控制。很多论文都提到过直拉法的控制问题。这一问题的大量综述可参考文献13。然而，在这些论文中，晶体生长过程中的问题已与球型传热模型分开处理。氧化物CZ生长法的时间依赖性模拟的第一次尝试在文献14中提到了。文献15中，在低温度梯度的锗铋氧化物直拉生长的定量反馈控制时，这种方法成功地用于改善多区加热器。本文开发了氧化物切克劳斯基过程的全局动态模型。模型不仅允许模拟结晶结构不同部分的温度场，熔体中的对流模式，在整个生长过程中的固体/液体界面和晶体形状的变化，而且也允许模拟定量控制。例如，镓-钆石榴石（GGG）晶体的生长就是这样。2、直拉法的形状演化模型动态模拟的一个关键问题在于跟踪晶体形状的变化和随时间变化的熔体位移。让我们假设在某一时刻t，结晶系统的配置是已知的，我们必须确定t+td时刻的几何形状。解决方案过程包括几个阶段。第一阶段需要解决t时刻的整体传热问题，并考虑到熔体中的对流和导热问题，在半透明的晶体和气体中的辐射传输问题，在加热器、坩埚、热隔离块中的导热问题以及在所有元素的结晶装置中发现的温度和热通量分布。通常情况下，在热传递被视为恒定的准稳定公式中，类似问题都不存在。这种方法大大简化了模拟，但却忽视了可能对氧化物CZ生长和生长控制十分重要的惯性效应。因此，本文在一个随时间变化的公式中对导热和对流的传热元件进行了处理，这在准稳态处理中实际上是无惯性的。热传导问题的概述广为所知，此处并未提及，特别是考虑到热传导已经被CGSim软件的流量模块计算出来了。与其他类似的商业软件一样，该软件包可以用镜面反射和漫反射面模拟在晶体中的内部辐射。然而，需要注意的是，结晶前我们使用的条件是：（1），而不是传统的条件：。在这里，是各自的熔融温度，和分别是各自的固体和液体温度，是从正常到前面的结晶速率。方程（1）在接口处与动力学过冷在形式上相似，但是参数在这里被视为一个合适值以防止三节点处人为缝隙和时间震荡热通量的出现，使用相同的条件时，三节点处的这些通量原则上可以获得而相当大的值（17），由于氧化物溶体的低导热率，这种效果可以通过热量传输的强对流增强。该参数β在模拟时被假设为常数，并选择其尽可能小的幅度，使其对界面形状的影响限制在三节点附近的区域。方程（1）给出了从固体–液界面的热平衡方程（Stephan条件）中排除的可能性。在利用该方程对晶体中的传热问题的解决和熔体温度和热通量的收益率分布在界面上，反过来可以计算结晶速率。在第二阶段，可以根据结晶速率得出前面的位移。它由以特定速度Vpull晶体上拉所导致的垂直位移和以特定速度沿垂直于前拉引起的竖向位移组成。关于自由晶面上的点，它们只向上移动。在第三阶段中，通过迭代使用附加关系，在晶体/气体，晶体/熔体和熔体/气体界面间接触的三节点的新位置被发现：（i）晶体和熔体质量的平衡方程，（ii）拉普拉斯微分方程（确定半月板形状）和（iii）的生长角度