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共振穿隧二極體Resonant Tunneling Diode 指導老師 葉義生 組員: 薛志順 499L0033 黃智楊 499L0019 郭育維 499L0108 目錄 一、介紹 二、結構、特性 六、參考文獻 五、應用 三、如何發生共振 四、缺點 共振穿隧的發現，於1969年由Tsu和Esaki所提出，並從理論上測得，在半導體結構中發生共振穿隧所謂共振是指電子在某一能量中，電子穿隧的機率達到峰值 而RTD中的負微分電阻區是一相當特殊的情形 RTD介紹 負微分電阻特性曲線 正常的電阻是,電壓增加時,電流也會跟著增加;反之,電壓減小時,電流也會跟著減小.也就是電壓-電流的關係曲線的斜率是正值,所以電阻值是正值. 負電阻是, 電壓增加時, 電流也會跟著減小; 電壓減小時,電流會跟著增加. 也就是 電壓-電流的關係曲線的斜率 是負值,所以電阻值是負值. RTD的結構如下圖(1)，RTD之結構為GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs，AlAs形成barrier，中間之GaAs很薄時形成量子井，存在許多不連續之能階，當電子能量等於某一能階時，其穿透barrier之機率最高。 圖(2)為實際結構圖 RTD的特性有能在較高溫度、電壓下工作，工作速度快速 結構與特性 當外加偏壓後費米能階降低，當偏壓加到一定值後，左方能階等於費米能階即產生共振 如何發生共振 電子也具有波的形式，當電子進入電子井後會發生多次反射，而電子波的干涉是否會產生破壞則考慮其波長。 而某一波長的電子波有接近於1的穿透機率，使穿隧產生共振。 其餘的電子波穿隧機率等同於0 只有能量等於共振能階的電子可以穿透 以波的概念解釋共振 目前的缺點在於晶片集成方面，也就是實際應用上所需要的密度和數量 以及晶片上不同位置以及在不同晶片上I-V的特性一致 缺點 由於RTD的工作速度極快可應用在高頻元件中(高達1THZ)，以及他的負微分電阻特性，所以多用於高速數位邏輯電路、類比電路、電子訊號處理上 應用 杜磊,庄奕奇《纳米电子学》课件-第二章 共振穿隧元件 崑山科技大學-論文名稱(中文)-負微分電阻元件的應用中的中文摘要 參考文獻 感謝大家的聆聽 * *