850nm高亮度半导体激光器腔面膜设计及制备.pdf

第一章绪论 §1．1引言 随着激光技术的日趋成熟和应用领域的不断拓展， 半导体激光器 的应用范围已经覆盖了光电子学的诸多领域，成为当今光电子科学的核 心技术。但是目前，国际上高亮度、大功率半导体激光器的研究方面主 要集中于810nm、980nm波段。 01)n5P／Ino5(G乱5Alos)msP D．Botez报道了一种基于InGaAsP／In仉。(Ga09A1 无铝有源材料的高功率密度810nm波长半导体激光器的研究，腔面COMD 阱，AIGaAs大光腔激光器结构在735nm波长、100pm发射区条件下获得 光输出，腔面CoMD功率密度高达23MW／cm“”。虽然高亮度半导体激光器 Photonics 的研究在国际上获得了很大进展，但目前只有美国的nlight 提供5W、100“m发射区宽度的高亮度半导体激光器产品，并在出口方 面对我国限制，影响了我国开展相应研究的能力。 §1．2高亮度半导体激光器面临的主要问题 目前高亮度半导体激光器面临的问题主要是：一方面，与大功率半