CdZnTe半导体探测器电极的研究.pdfVIP

第一章文献综述 1．1研究背景 射线探测技术无论是在核安全检测的国防领域，还是在医学成像和工业在 线监测的民用领域都发挥着极为重要的作用fl】。要准确灵敏地检测高能射线， 就需要具有高分辨率的x射线及v射线探测器。自六十年代以来si、Ge半导 体核辐射探测器得到了迅猛的发展。但是Si、Ge半导体的禁带宽度较窄(Ge 予序数小，所以探测效率较低。Si、Ge探测嚣对应用于核检测、医学成像以及 天文学等领域所要求的高探测效率和方便的探测方法都不能同时满足【捌。 掺杂碘化钠闪烁体(NaI(T1)】虽然可以在室温下工作，但是能量分辨率较 差，而且必须与光电倍增管(PMT)一起使用。对于化合物半导体探测器，GaAs 核辐射探测器是工作在室温下并能取得较好能量分辨率的一种化合物半导体探 测器。但是由于材料的制备一般是采用液相或气楣外延技术得到的，所以得到 的高纯、高完接性的GaAs材料较薄，要想进一步增加厚度缀困难。而且由于 GaAs的平均原子序数低，也使它的发展受到了限制。目前GaAs探测器只能对 低能Y射线才具有较好的能量分辨率。Hglz其有大的禁带宽度(2．1eV)、高原 子序数、大的体电阻率等优点，所以决定了这种探测器可以在室温下=】二作，并 且具有较高的效率和分辨率。但是Hgl2的传输特性相