Cu%2fAg合金薄膜用作CdZnTe探测器电极的研究.pdf

第一章 文献综述 第一章 文献综述 1.1研究背景及应用意义 高能射线探测技术无论是在核安全检测的国防领域，还是在医学成像和 工业在线监测的民用领域都发挥着极为重要的作用m。要准确灵敏地检测高 能射线，就需要具有高分辨率的X射线及7射线探测器。对于像高纯Si、高 纯Ge和高阻NTDSi(中子擅变掺杂NeutronTransmutationDoping)元素半 导体，现在己经能制备出适合于核辐射探测器要求的高质量 (高纯、高完整 性)材料，而且在元素半导体上制备P-N结和欧姆接触的技术也己经较成熟 和完善。因为Si,Ge的少数载流子寿命长、迁移率大 (w:乘积可以达到 0.22-0.84cm2N)，所以自六十年代以来Si,Ge半导体核辐射探测器就得到了 迅猛的发展。但是作为X,7射线的测量由于Si,Ge半导体的禁带宽度较窄 (Ge的E:为0.66eV;Si的E。为1.06eV)所以必须在低温下I作。Ge探测 器虽然被广泛应用于X射线及Y射线探测，并且这种探测器具有优良的能量 分辨率，但是由于禁带宽度较小，所以需要添加液氮制冷。从禁带宽度可以 看出Si如果应用于X,7射线探测器虽然比G。所需要的温度要高，但是也没 有避免