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一种用于光谱钡4量的CCD系统 一引言 一引言 1．1 CCD系统用于光谱测量的背景 光谱仪是分析物质化学组成及含量的重要分析仪器，自1928年光谱分析成为常 用的工业分析方法以后，光谱仪得到了迅速发展。现在光谱测量的方法已经被运用到 天文、地理、科学实验、生物医学、工农业生产、国防等众多领域。例如：在遥感领 域光谱测量被应用于野外监测，估算地物特性【1】：在我国，遥感光谱仪已被应用于水 稻农学参数的测量[21，水质监测【3】，空气质量监测M；另外还可用于温度的测量婀。 不规则物体外形的测量17]，精确距离测量嘲，医学上药品的测量【9】等等。 传统的光谱测量仪器有摄谱仪，采用PMT(PhotoTube)作为传感器的 Multipfier 扫描单色仪和分光光度计。 摄谱仪是应用在原子发射光谱中的传统光谱检测器，其工作原理与用于照相机的 底片曝光原理相似：以感光乳胶作为接受光谱的介质，经过辐射曝光后，再经过显影、 停显、定影、水洗、自然晾干等暗室操作过程制得光谱底片，上面有许多黑度不同的 光谱线，然后利用映谱仪读谱(定性或半定量分析)及测微光度计测量(定量分析)。这 种方法的显著缺点是操作过程繁琐、费时、引起误差的因素较多，还要耗费大量器材 和试剂，而且它体积庞大，自动化程度低。此外，这种传统的光谱仪只能记录曝光时 间内总的光谱信息，虽然可以给出波长-辐射光强二维光谱信息，但是无法给出时间． 辐射光强二维光谱信息。 ，光电倍增管作为主要的光谱检测器被沿用了数十年。它的主体是一个内部装有阳 极、多个次级电子发射极(倍增极)和涂有光敏材料的阴极的玻璃管或石英管．当入射 光照射在阴极上时，光敏物质发射的电子在外加电场的加速下依次落在一系列的倍增 极上并击出大量的二次电子，这些电子最终被阳极捕获而输出电流．可见PMT起了光 电转换和电流放大(提高了灵敏度)的双重作用m1”。PMT结构简单、体积小、操作容 易、灵敏度高，但是用P^仃作为传统的检测器件有两个主要的缺点： 1)一次只能测量一个波长点的数据，因此完成整个光谱区域测量的时间较长，且只 能给出波长一辐射光强的二维光谱信息，不能适应瞬态全过程分析的要求。 2)需要精密的光谱扫描机械装置(正弦机构)，与分光系统配合使用，因此整个仪器 结构复杂，体积庞大，容易损坏【切。 一种用于光谱测量的CCD系,统 一引言 当cCD出现后，可以很方便地进行光谱测量。以CcD作为探测元件的光谱仪可以 同时采集各个波长点的数据，并且输出给计算机进行分析与处理，这就实现了光谱的 快速多通道分析。 1．2 CCD的工作原理 CCD是美国贝尔实验室在1970年前后发明的一种半导体器件，这种器件的突出 特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件(以电流或电压作为信号)。CCD 最初得名是电荷以耦合的方式在相邻的势阱之间传输‘131，现在我们所说的CCD是指 在一块硅片上集成了光电二极管阵列与移位寄存器的器件。光电二极管阵列用来完成 光电变换与光积分，移位寄存器用来完成光生电荷的转移【141。 A CCD的雏形是在P型或者11型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为1200A～1500 的二氧化硅(Si02)层，然后按一定次序沉积n个金属电极或多晶硅电极作为栅极。 栅极间的间隙约为2．5um，电极的中心距离为15～20um。于是每个电极与其下方的 si02和半导体间构成了一个金属·氧化物一半导体结构，即MOS结构，这种结构再加 上输入输出结构就构成了II位CCD。图l-l就是以P型硅为衬底的CCD结构示意图。 如果在CCD栅极上施加一定规律变化的电压，在p型硅表面就会形成不同深浅 的势阱，信号电荷就存储在势阱中。当外加在栅极上的电压越高，势阱就越深，由于 电极靠得非常近，外加电压变化时信号电荷就从浅的势阱流向深的势阱，在半导体表 面传输，最后从输出二极管送出。 输入=板督 图1-1P型硅为衬底的CCD结构示意 移位寄存器和转移栅三部分。它的工