hl-2a装置上的快扫q波段微波反射系统研制 development of a fast sweeping q-band microwave reflectometer on hl-2a tokamak.pdfVIP

第 36 卷 第 4 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.36, No.4 2 0 1 6 年 12 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics Dec. 2016 文章编号：0254−6086(2016)04−0289−08 DOI: 10.16568/j.0254-6086.201604001 HL-2A 装置上的快扫 Q 波段微波反射系统研制 1 1 1 1, 2 1 张博宇 ，石中兵 ，钟武律 ，杨曾辰 ，施培万 ， 蒋 敏1 1 1 1 ，刘泽田 ，丁玄同 ，杨青巍 (1. 核工业西南物理研究院，成都 610041 ；2. 西华大学，成都 610039) 摘 要：介绍了在 HL-2A 装置上发展的一套快速扫频的 Q 波段外差微波反射系统，用于高时空分辨测量等离 子体边缘到约束区的电子密度分布。该系统采用外差式连续波扫频调制技术(VCO) ，由外部任意波电压控制，工作频 率为 33~50GHz ，全波段扫频周期达到 6μs。在台面标定中发展了 VCO 源的动态标定技术，并解决了微波源及器件 的非线性响应、波导的色散特性等因素造成差频频率动态范围过大的问题，使反射面固定时系统输出的差频为定频 信号，有利于降低噪声干扰和数据处理。同时发展了直接相位处理技术，实现快速的电子密度分布反演。实验中用 该微波反射系统测得了 L 模、H 模等不同等离子体放电条件下的电子密度分布，观测 ELM 爆发前后台基区的形成与 垮塌过程。 关键词：微波反射；连续波频率调制；等离子体；托卡马克 中国法分类号：O536 文献标志码：A 1 引言 是这两套系统因受电子学系统限制，其扫频周期为 电子密度分布是托卡马克等离子体研究的基 50μs ，即扫频速率最大为 20kHz 。理论模拟与实验 本参数。在 L 模期间，通过测量等离子体电子密度 表明，在等离子体湍流较强的情况下，如果扫频速 分布和扰动，可以研究等离子体湍流和粒子输运[1, 率慢于或接近湍流的频率，对电子密度剖面的测量 2] ；而在 H 模期间，密度剖面对于研究台基结构[3, 4] ， 会有很大影响[16] 。而快速的扫频测量能有效降低湍 进而研究边缘局域模(ELM)的爆发、缓解等物理过 流的影响，当全波段扫频时间快于 20μs 时，能基 [5] [16] 程十分重要 ，但台基结构的变化时间在几十μs 量 本消除湍流的影响 。 级，因此，为了研究台基结构的动力学演化过程， 为了测量等离子体台基区电子密度分布的快 发展高时空分辨的电子密度分布测量系统是十分 速变化，研究边缘粒子输运，发展了一套 Q 波段快 必要的。 速扫频微波反射系统，其扫描速率达到 150kHz， 微波反射是高时空分辨测量等离子体电子密 即时间分辨可达到约 6μs。另外针对微波源及器件 度分布的最常用手段之一，被广泛应用于各个磁约 的非线性响应、波导的色散特性等因素造成差频频 束聚变装置中[6~14]