导体所处的电场强度；电阻率.PPT

C=?rC0 IC?= ?r IC 仍比电压U超前90°相位。 实际介电材料——与理想介电材料不同，其电导率不为零，介质中的电流一般包括三部分： 1、由几何电容的充电和位移极化引起的瞬时电流Ic，其相位比电压U超前90?，是容性电流； 2，3、由松弛极化引起的吸收电流Iac和由电导（漏电）引起的剩余电流（漏电电流）Idc，其位相与电压U相同，是电流中的电导分量。 在极板间填充相对介电常数为?r的理想电介质，则 其中 II=Iac+Idc 是电流中的电导分量。 真实电介质平板电容器的总电流 IT=Ic+Iac+Idc =Ic+II 总电流比总电压超前?=90-?度，其中?称为损耗角。 由于 Ic=i?CU II=GU 其中G为电导。所以 其中A为极板的面积，d为电介质厚度即极板间距，?为电导率。 IT= i?CU+GU 定义 为复电导率 则电流密度 也具有欧姆定律的形式。 ?*=??-i?? 类似于复电导率，定义复介电常数和复相对介电常数分别为： 都是?的函数。此时有： 所以总电流 即总电流分两项：第一项Ic为电容的充电放电过程，无能量损耗，由复相对介电常数的实部?r?描述；第二项II与电压同位相，为能量损耗部分，由复相对介电常数的虚部?r??描述，称为介质相对损耗因子 所以II/Ic可代表介电材料在交变电场下的能量损耗的大小，?角的大小可反映这一比值，所以将?角称为损耗角。 可表示为获得给定存储电荷要消耗的能量的大小 对绝缘材料，为降低能量损耗，防止发热引起材料损坏，希望材料的tan?小。 对介电材料（如高分子材料）高频加热、高频干燥等则希望tan?大 。 更精确的描述是损耗因子，即损耗角的正切： 频率 2 介电损耗的影响因素 频率很低，即??0时，所有极化机制都能跟上电场的变化，介电损耗为0 频率极高，即???时所有极化机制都跟不上电场的变化，介电损耗为0 在不同的频率，不同弛豫时间的极化机制起作用，使tan?变化，在某频率达到极值 温度对tan?的影响：通过弛豫时间?影响tan? ? ?exp(E0/kT) E0为分子活化能，k为玻耳兹曼常数 tan?随温度有升－降－升的关系 温度 6.5.3 介电体击穿 (Dielectric breakdown) 介电体击穿：介电体在高电场下电流急剧增大，在某一电场强度下完全丧失绝缘性能的现象。 引起材料击穿的电压梯度称为介电强度或介电击穿强度。 击穿的原因很复杂，材料厚度、环境温度和气氛、材料形状、结构、成分、表面状态、电场频率和波形等都影响击穿强度。 设想材料是宏观均匀的，其各部分所能承受的电压梯度是相同的，在临界电场强度下其击穿与样品的几何形状以及电场的波形无关，只与材料的内在特征有关，此时发生的击穿就是本征击穿。 1 本征击穿 当两方面在一定温度和场强下达到平衡时，电介质有一定的电导。 电介质中也有自由电子——来源于杂质、缺陷能级以及价带。在强电场下由于冷发射或热发射固体导带中也会存在一些电子。 碰撞电离理论 强电场下由于冷发射或热发射固体导带中存在一些电子，被外电场加速，同时与晶格振动相互作用加剧晶格振动把能量传给晶格。 若电子从电场获得的能量大于损失给晶格振动的能量，其动能越来越大，直至增强到使晶格电离出新电子，自由电子数迅速增加，发生击穿。 A(E, E0)=B(T, E0) 其中A(E, E0)为电子从电场中获得能量的速率； B(T, E0)为电子损失给晶格的能量的速率；E为电场强度；E0为电子的能量。 在外电场E下，电介质电导率?引起单位时间单位体积中产生?E2的焦耳热。如果这些热量不能及时导出，就会使材料的温度升高，达到某一临界值Tc，当电场强度达到临界值Ec时，自由电子足够多，就发生了击穿。 根据碰撞电离理论发生本征击穿的临界条件为 热击穿理论 ——用碰撞电离理论描述电子的行为，而以热击穿作为击穿的判据。 雪崩式击穿理论 ——击穿的最初机制是场发射或离子碰撞。场发射是由于来自价带的电子因隧道效应进入缺陷能级或进入导带，导致传导电子密度增加。 当电场强度非常强时传导电子发射几率足够高，隧道电流增长导致电介质温度升高到一定温度引起介质隧道击穿 赛兹(Seitz)提出电子传递给介质的能量足以破坏晶格结构时就发生击穿，并计算出当自由电子密度达到1012/cm3时其总能量就足以引起击穿。 当一个电子游离开始与晶格和其他电子碰撞，一个游离电子可变成两个游离电子，这两个游离电子经再次碰撞又会变成4个，依此类推，即发生了“雪崩”。经过n次碰撞一个游离电子变成2n个，当2n=1012个时就会发生击穿。 此时n?40，即1cm内电离达到40次电介质就击穿了——这一理论又称为40代理论。 如果电介质很薄，达不到电子平均自由