晶振原理及匹配系数.ppt

石英晶振的原理及系数匹配 一：石英晶振的原理 二：膜厚控制仪原理 三：使用晶振片的注意事项 四：匹配系数的调节 一:石英晶振的原理 一台镀膜设备往往同时配有石英晶体振荡监控法和光学膜厚监控法两套监控系统，两者相互补充以实现薄膜生产过程中工艺参数的准确性和重复性，提高产品的合格率。 石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。石英晶体法监控膜厚，主要是利用了石英晶体的两个效应，即压电效应和质量负荷效应。 石英晶体是离子型的晶体，由于结晶点阵的有规则分布，当发生机械变形时，例如拉伸或压缩时能产生电极化现象，称为压电现象 ，反之一样。 石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸，切割类型，而且还取决于芯片的厚度。当芯片上镀了某种膜层，使芯片的厚度增大，则芯片的固有频率会相应的衰减。石英晶体的这个效应是质量负荷效应。 用于石英膜厚监控用的石英芯片采用AT切割，对于旋光率为右旋晶体，所谓AT切割即为切割面通过或平行于电轴且与光轴成顺时针的特定夹角。AT切割的晶体片其振动频率对质量的变化极其灵敏，但却不敏感于温度的变化。这些特性使AT切割的石英晶体片更适合于薄膜淀积中的膜厚监控。 石英晶体的固有频率f不仅取决于几何尺寸和切割类型，而且还取决与厚度d，即 f=N/d N是取决与石英晶体的几何尺寸和切割类型的频率常数。对于AT切割的石英晶体，N=f · d=1670Kc·mm。 镀膜时质量增量产生的晶体频率变化 物理意义是：若厚度为d的石英晶体厚度改变 △d，则晶振频率变化 △f。 为了把石英晶体厚度增量△d变成厚度增量△dM,可利用关系式 A是受镀面积，ρM为膜层密度，ρQ为石英密度等于2.65g/cm3 。于是 △d=（ ρM / ρQ ） △dM，所以 从而建立了△f与△dM之间的线性关系因此我们可以借助检测石英晶体固有频率的变化，实现对膜厚的监控。 石英晶体膜厚控制仪有非常高的灵敏度，可以做到埃()数量级，显然晶体的基频越高，控制的灵敏度也越高，但基频过高时，晶体片会做得太薄，太薄的芯片易碎。 所以一般选用的晶体片的频率范围为5~10MHz。在淀积过程中，基频最大下降允许2~3%，大约几百千赫。基频下降太多，振荡器不能稳定工作﹐产生跳频现象。如果此时继续淀积膜层，就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度，晶体上膜层镀到一定厚度后，就应该更换新的晶振片。 此图为膜系镀制过程中部分频率与厚度关系图。 二：膜厚控制仪原理 膜厚控制仪用电子组件引起晶振片的高速振动，约每秒6百万次（6MHz），镀膜时，测试每秒钟振动次数的改变，从所接受的数据中计算膜层的厚度。为了确保晶振片以6MHz的速度振动，在真空室外装有“振荡器”，与晶控仪和探头接口连接，振荡器通过迅速改变给晶振片的电流使晶振片高速振动。一个电子信号被送回晶控仪。 晶控仪中的电路收到电子信号后，计算晶振片的每秒振速。这个信息接着传送到一个微处理器，计算信息并将结果显示在晶控仪上： 1）沉积速率 (Rate) （埃/秒） 2）已沉积的膜厚 (Thickness) （埃） 3）晶振片的寿命 (Life) (%) 4）总的镀膜时间 (Time) （秒） 更加精密的设备可显示沉积速率与时间的曲线和薄膜类型。 我们可以将许多参数输入晶振仪以保证测量和镀膜过程的精确控制： 1）薄膜序号，用于输入膜层或定义材料参数 2）目标膜厚或最大沉积速率 3）镀膜时间 4）薄膜密度(DENS) 5）校正系数(Tooling)用于校正晶振片或基片位置产生的误差 Tooling测定：放基片（测试片）在球罩的通常位置，确认当做Tooling校正时Tooling被设置为100%或以前确定的Tooling值。在密度校正方式量测基底薄膜厚度，则用下面的公式得到正确的Tooling值。 Tooling=100%×基底厚度(测试片膜厚)/显示厚度(石英显示膜厚) 。探头Sensor高于球罩Tooling100%﹐低于球罩Tooling100%。 三：使用晶振片的注意事项 晶振片对温度也很敏感，对1/100摄氏温度的变化也能感知。另外，晶振片对应力的敏感也很大，在一些特别的镀膜过程中可以感知已镀膜的晶振片冷却后膜层原子的变化。 随着镀膜规格指标的需求日益严格，晶振控制成为镀膜必备的辅助或控制方法﹐如何正确有效地使用晶振片成为保证镀膜质量的重点。所以为了使晶振片寿命最长，下面一些方法和技巧供您参考： 1.安装镜片时，用塑料摄子来