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851 N沟道增强型绝缘栅场效应管
* SiO2 绝缘层 结构示意图 P 型硅衬底 源极 S 栅极 G 漏极 D N+ N+ 8.5.1 N 沟道增强型绝缘栅场效应管 D S G 符号 构成：用一块杂质浓度较低的 P 型薄硅片作为衬底，其上扩散两个相距很近的高掺杂 N+型区，并在表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层。再在两个 N+ 型区之间的二氧化硅绝缘层的表面及两个N+型区的表面分别安置三个电极：栅极 G、源极 S 和漏极 D。 8.5 绝缘栅型场效应管 当在柵极和源极之间加正向电压但数值较小时(0 UGS UGS(th))，由柵极指向衬底方向的电场吸引电子向上移动，填补空穴在 P 型硅衬底的上表面形成耗尽层，此时仍然没有漏极电流。 P 型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 UGS N+ N+ UDS 当栅—源电压 UGS = 0 时，D 与 S 之间是两个 PN 结反向串联，无论 D 与 S 之间加什么极性的电压，总有一个 PN 结是反向偏置的，漏极电流 ID 均接近于零。 由于柵极是绝缘的，柵极电流几乎为零，栅源电阻(输入电阻)RGS 很高，最高可达 1014 ?。 当 UGS 大于一定数值时(UGS UGS(th))，在栅极下 P 型半导体表面形成 N 型层，通常称它为反型层。这就是沟通源区和漏区的 N 型导电沟道(与P型衬底间被耗尽层绝缘)。UGS 正值越高，导电沟道越宽。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 N 型导电沟道 N+ N+ ?UGS + EG 形成导电沟道后，在漏—源电压 UDS 的作用下，将产生漏极电流 ID ，管子导通。 P 型硅衬底 N + + B S G D 。 UDS ID N+ UGS N+ N 沟道 在一定的漏—源电压UDS 下，使管子由不导通变为导通的临界栅—源电压称为开启电压，用 UGS(th)表示。 只有当 UGS UGS(th) 后， ID 才随栅—源电压的变化而变化，这就是 N 沟道增强型绝缘栅场效应管的栅极控制作用。 N 沟道增强型绝缘栅场效应管的导通 *
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