掺杂磷化镓之光学特性分析.docVIP

掺氮磷化镓之光学特性分析 张郁妮+、黄旭晴+、郭艳光*、苏永司** (+研究生，*助理教授) 国立彰化师范大学物理研究所 **国联光电科技股份有限公司 e-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw 摘要 本文将对掺氮的磷化镓做回顾性的介绍，并且以光激荧光法做光学特性的量测与分析，探讨氮在磷化镓中所造成的效应。 一、简介 就光电半导体材料而言，如果我们以电子跃迁的特性来区分，可以概分为两大类，第一类为直接能隙(Direct Bandgap)材料，发光的效率较高，另一类为间接能隙(Indirect Bandgap)材料，发光的效率较差，而磷化镓(GaP)属于间接能隙的III-V光电半导体材料，电子在导电带的点与价电带的点之间跃迁时具有最小的能带间隙(Energy Bandgap) 2.26eV[1]，其对应的特性波长为550nm左右的绿光，发光的效率并不高。同样是III-V光电半导体材料，氮化镓(GaN)为一直接能隙的半导体，其发光效率比磷化镓来的好，而且氮与磷皆为周期表中第V族的元素，所以如果将氮掺杂到磷化镓中，氮将会取代磷，如此便可视为是磷化镓与氮化镓的组合，称为氮磷化镓，其一般的表示法为GaP1-xNx。然而在氮的比例很低的情况下，氮将被视为杂质，GaP1-xNx三元化合物的特性就不会显现，这种以同族元素做掺杂的方式，称作均电性掺杂(Isoelectronic Doping)，被掺入的氮称为均电性杂质(Isoelectronic Impurity)。 均电性的杂质普遍有吸引Exciton的特性，就掺有氮的磷化镓而言，由于氮的电负度比较大，会造成一些短范围的浅层能阶而吸引电子，电子再经由库伦作用力而吸引电洞，此时便形成了Exciton[2]，这些 Exciton分别被命名为NN1、NN2、NN3…NNA0，右下角所标的数字愈大，表示氮与氮之间的距离愈远，NN1代表被同一个镓相邻的两个氮原子所束缚的Exciton，其对应的能量为2.18eV[3]，NN2是由距离稍远的两个氮所束缚的Exciton，其对应的能量为2.19eV[4]，依此类推，NN3为2.26eV，NN4为2.29eV[3]，而NNA0则为被孤立的N所束缚的Exciton，其能量约为2.315eV[4]。 另外，在掺氮的磷化镓中也会有许多因晶格振荡所产生的声子能阶，TA、LA、LO 分别代表不同的声子，其能量分别约为13.30.2meV、26.7eV0.4meV[5]、与50.1meV[1]，这些声子会与Exciton的能阶产生交互作用而造成除了NNi (i = 1、2、3、…)以外的新能阶，如NN1-TA、NN1-LA、NN1-LO-TA[6]等，其中减号表示放出能量给声子，所以属于这些能阶对应的发光波长会比属于NNi的稍长。这些以NNi为主的Exciton在低温时主宰了掺氮的磷化镓的发光机制，而且发光的效率很高[7]。在氮的掺杂浓度小于1.0×1020cm-3 时，发光强度随氮的浓度而增强；但是在氮的浓度超过2.5×1020cm-3(1%)之后，发光强度反而随氮浓度的增加而下降。另外，几乎在任何掺杂浓度下，整个发光频谱都会随氮浓度的增加而有红位移的现象。 就晶格常数而言，磷化镓与氮化镓是不匹配的(相差约20%)，所以若掺杂的氮过多，将会形成晶体内的缺陷，因此会降低发光效率[7]。一般而言，三元化合物如氮化铟镓(InGaN)的能带间隙将会介于氮化铟(InN)与氮化镓(GaN)之间，实际能带间隙的大小视混合的比例而定。然而，掺氮的磷化镓属于少数在混合后的能带间隙会比任一被用来混合的材料都小的其中一种[8]，亦即，掺氮的磷化镓的能带间隙将小于磷化镓与氮化镓各别的能带间隙。 GaP1-xNx的直接能带间隙与间接能带间隙可以用以下的公式表示 [7]： E((x)=2.780+0.660x-14.103x(1-x) (1) EX(x)=2.268+1.732x-14.103x(1-x) (2) 由上述公式可知，GaP1-xNx在x小于0.48时属于间接能隙型材料(E(EX)，在x大于0.48时属于直接能隙型材料(E(EX)。值得一提的是，在x很小的时候(亦即，在氮的掺杂浓度很低的时候)，GaP1-xNx的间接能带间隙会比公式(2)所算出来的小一些[7]，亦即，GaP1-xNx的发光波长相较于公式(2)的预测值会有些许的红位移。 此外，掺氮的磷化镓的发光频谱也会因为氮的掺杂比例不同而有很大的变化。研究结果显示[3]，在6K时如果氮的掺杂比例在0.13%左右，NN3的强度会大于NN1；在氮的掺杂比例几乎低到0%的情况下，NNA0 的强度甚至会大于NN3，而NN1将会消失；当氮的掺杂比例大于0.75%后，掺杂的特性将不再显现，发光频谱将会反应出GaP1-xNx三