非线性电路微分方程的数值解法.pptVIP

合成以后总的伏安特性如下图中粗实线ABCD EF所示。合成伏安特性曲线ABCDEF由五段组成，中间三段BCDE呈非线性、负电阻的特性，这就是我们所说的非线性负电阻。后面讲到的蔡氏混沌电路主要工作在这个曲线段内，若处于极限环状态，则该电路能够工作在最外面的两段上。因此我们也将具有如图所示非线性特性的电路称为蔡氏二极管。 8.3分段线性电阻的实现 分析曲线的主要参数。先计算BCDE各段的斜率。从上面的分析可知，CD段的斜率为： BC段与DE段的斜率相同，为： AB段与EF段的斜率相同，为： 由以上三个斜率公式可以得出图中BCDE段的曲线方程为： 8.3分段线性电阻的实现 上式也可以用通式表示为： 以上两式在后面要讨论的蔡氏电路方程中很有用。 根据上面的分析，ABCDEF五段的曲线方程为： 8.3分段线性电阻的实现 8.3.3 由分段线性正电阻转换为分段线性负电阻 前面介绍的两种分段线性电阻的计算是比较复杂的，因而设计也比较麻烦。通过分析可以看到，下图所示的单运算放大器分段线性电阻电路实际可以看成一个正电阻R3转换为同阻值负电阻(-R3)的变换器。因此，若将下图中的正电阻R3换成分段线性正电阻网络RNL，则可以将分段线性正电阻转换为分段线性负电阻。 8.3分段线性电阻的实现 由分段线性正电阻直接转换成分段线性负电阻的电路如图所示。它的电路结构与上图完全相同。其中， RNL为分段线性正电阻网络。若R1=R2，则电路的输入电导等于-GNL。运算放大器的饱和与截止转折电压为： 可见，非线性负电阻的转折电压可以由R1控制。 分段线性正电阻转换为分段线性负电阻的电路结构 8.3分段线性电阻的实现 表中列出了4种由分段线性正电阻转换成的分段线性负电阻的电路，以及这些电路的伏安特性曲线、电流的表达式、电路参数及实现条件。 8.3分段线性电阻的实现 8.4 混沌电路常用的微分方程 在混沌电路的分析与设计中常用的几个非线性微分方程与迭代方程是： (1) 李纳德(Lienard)方程 (2) 范德波尔(Van Der Pol)方程 (3) 杜芬(Duffing)方程 (4) 洛伦兹(Lorenz)方程 (5) 蔡氏电路(Chua’s Cuicut，蔡少棠)方程 (6) 洛斯勒(Rosslor)方程 8.4 混沌电路常用的微分方程 8.4 混沌电路常用的微分方程 (7) 陈氏(Chen’s，陈关荣)方程 （4）负阻尼振荡器 8.5 非线性电路微分方程的数值解法 现代电子电路多数能够列写出电路方程，包括电路代数方程与电路微分方程，并且以矩阵的方式出现。电阻电路列写的方程是代数方程，动态电路列写的方程是微分方程，也称为电路的状态方程。 如果描述一个电路的状态方程中，时间变量t除了在dx/dt中以隐含的形式出现外，并不以任何显含的形式出现，这种电路称为自治系统(Autonomous System)。否则就称为非自治系统(Non-autonomous System)。 自治系统必须是时不变的电路，而且电路的激励是不随时间变化的。非自治系统所描述的电路是时变的，或者电路是时不变的但电路中包含有随时间变化的激励。本章主要讨论自治系统。 电子技术中描述电阻电路的代数电路方程一般都能找到解析解。描述动态电路的许多微分方程没有解析解。非线性电路方程几乎完全找不到解析解，只能利用数值解法去分析电路的动态特性。 8.5 非线性电路微分方程的数值解法 8.5 非线性电路微分方程的数值解法 为了用数值解法对电路进行求解，必须附加某种定解条件。对于电路而言，定解条件通常是电路的状态变量在初始时刻的条件。这时，相应的定解问题就是初值问题。 8.5 非线性电路微分方程的数值解法 为了用数值解法对电路进行求解，必须附加某种定解条件。对于电路而言，定解条件通常是电路的状态变量在初始时刻的条件。这时，相应的定解问题就是初值问题。下面着重讨论电路中具有一定初值的微分方程。 求上述微分方程近似解的一种数值方法是离散变量法。即采用步进的方法求出微分方程的解析解x(t)在一系列离散点tn=tn-1+h，n=1，2，…N上的近似值xn，用这些离散点上的近似值去逼近微分方程的真正解。其中，h是tn-1到tn的步长。 8.5 非线性电路微分方程的数值解法 为了方便，可设h不变。这样把求微分方程解的连续问题化为求各离散点上近似解的离散问题，这个过程称为离散化过程。 离散化过程是把电路连续的微分方程的初值问题化为一个离散的差分方程的初值问题，然后把差分方程初值问题的解xn作为微分方程的解x(t)在t=tn处的值x(tn)的近似值。这样的离散变量法即为差分法，对应的离散方程称为差分方程