3第一章半导体中及电子状态2ppt.pptVIP

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3第一章半导体中及电子状态2ppt

* F以外 的部分恰好是有效质量的表达式,化简的a 的表达式。这个表达式和牛顿第二定律的表达式相似,只不过M星代换了电子惯性质量。 * 我们先给出一个结论,满带中的电子不导电,而半满带中的电子在外加电场下可以导电。 ——导带中的电子和价带中的空穴都对电导率有贡献。 下面我们来看看为什么满带中的电子不能导电,空穴又是如何参与导电的。电子可以导电很好理解,但空穴为什么可以导电?先看满带为什么不导电? 前面我们知道,E-K函数是个偶函数,V是E-K的一阶导,而V是个奇函数,那么这么多电子如何计算它们对电流的贡献呢?我们知道,单个电子对电流的的贡献是-q乘以这个电子在这个时刻的速度,这是单个电子对电流的贡献,那么单位体积内全部电子对电流的贡献求和就是电流密度,根据v是个奇函数,-q是个常数,可以提出,所以对第一布里渊区这些电子的速度求和,其值为0,所以说满带时,电子不导电 。 这是不加外场的情况下,满带不导电。 * 因为价带有个空状态,所以外加电场下存在电流。如何求解这个电流呢? * 空穴不仅带正电荷,而且还具有正的有效质量,问什么这样讲,这是因为前面我们已经说了,空状态和电子的K状态变化相同,空穴一般在价带顶,底部我们是不考虑的,在价带顶附近空穴从A-C,从速度图中看出,空穴的速度是增加的,从前面的加速度的表达式可知,电子的加速度是负的qE/m*,如果用k状态电子的速度来表示空穴运动速度的话,因为空穴带正电,在电场中受到的应力应当时+qE,所以加速度应该是正值,因为空穴带正电,所以q应该是正,而电子在价带中的有效质量是负值,所以负负得正,用mp*代替,那么这个mp*就是空穴的有效质量,这就似乎描述了一个带正电荷+q,具有正有效质量mp*的粒子的运动。由于价带顶附近电子有效质量为负值,所以空穴确实应该是正值。那么dk/dt用来描述空穴,a用来描述空穴都是适用的。 * * 能带理论最简单的应用是区分绝缘体,金属和半导体。 绪论中我们所说的区别金属-半导体-绝缘体是根据他们的导电能力区分,然而实际上,金属-半导体-绝缘体之间的界限并不是绝对的,通常当半导体中的杂质含量很高,呈现出一定的金属性,而纯净在低温下的电导率很低,呈现出绝缘性,因此仅从导电能力上区分金属-半导体和绝缘体很困难,而利用能带理论来解释他们的区别则更容易些。 固体能够导电,是固体中的电子在外场的作用下定向运动的结果。由于电场力对电子的加速作用,使电子的运动速度和能量都发生了变化。换言之,即电子与外电场间发生能量交换。从能带论来看,电子的能量变化,就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去。对于满带,其中的能级已被电子所占满,在外电场作用下,满带中的电子并不形成电流,对导电没有贡献,通常原子中的内层电子都是占据满带中的能级,因而内层电子对导电没有贡献。对于被电子部分占满的能带,在外电场作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的的能级去,起导电作用,常称这种能带为导带。金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的,所以金属是良好的导电体。 半导体和绝缘体的能带类似,即下面是已被价电子占满的满带(其下面还有为内层电子占满的若干满带),亦称价带,中间为禁带,上面是空带。因此,在外电场作用下并不导电,但是这只是绝对温度为零时的情况。 当外界条件发生变化时,如升高温度,光照,满带中的少量电子可能被激发到导带,使得能带底附近有了少量的电子,而价带多出一些空 的量子态,称为空穴,在外电场下,价带中的电子也可以导电,其效果等于把这些空穴看成是带正电的准粒子参与导电,因此半导体中导带的电子和价带的空穴参与导电,这是与金属导体的最大差别。 绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大的能量,在通常温度下,能激发到导带中的电子很少,所以导电性很差。 半导体禁带宽度比较小,在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力,这是绝缘体和半导体的主要区别。 1、 一维单晶材料中的电子 (a)独立的单原子势函数 (b)近距原子交叠的势函数 (c)一维单晶的最终势函数 克龙尼克—潘纳模型的一维周期性势函数 与时间有关的函数为: 与位置有关的函数为: 布洛赫函数 周期为a+b 波动函数的全解=与时间有关的×与位置有关的 上式意义:一个被调幅的行波 感兴趣的: 在一维单晶材料中电子 的能量状态及特征 1、0xa v(x)=0 2、-bx0 v(x)=v0 系数A、B、C、D可由边界条件建立关系式: 当且仅当其系数行列式为零时方程有非零解。 其结果为: 进一步简化: 其中 注意:上式并不是薛定谔波动方程的解,但却给出了薛定谔波动方程有一个解的条件。 进一步理解薛定谔方程的本质 * V0=0 V0=0 自由粒子的E-k关系抛物

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