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溶胶．凝胶法制备V205粉体及其性能研究
摘要
V205属于斜方晶系钙钛矿结构，是一种具有层状结构的过渡金
属氧化物，有很广的应用范围：如催化剂、高容量锂离子电池正极
材料、电致变色器件、电子和光学开关等方面。利用溶胶．凝胶法制
备五氧化二钒材料，一直是研究的重点。本论文采用溶胶．凝胶制备
技术，在相对较低温度下制备了V205微晶，并研究了其反应动力学
和微晶的光学性能；在溶胶．凝胶制备V20，微晶的基础上通过添加不
同种类、质量分数的模板剂研究其对微晶制备的影响；通过添加络
合物对溶胶．凝胶过程进行络合反应来制备V205微晶，对其光学性能
进行了测试。主要研究内容和结果如下。
煅烧温度等因素对合成V205微晶的影响。采用X．射线衍射分析
及紫外可见光谱(UV-Vis)等手段对产物进行了表征。结果表明，
当反应温度超过600℃时，V205微晶表现出(001)晶面的取向生长
沿(00
1
的合成活化能为95．8
4eV。
的光学带隙约为2．1
在溶胶．凝胶法研究的基础上，以偏钒酸铵，尿素为原料，以聚
乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇4000为模板剂，研究添加不同种类、质量
分数的模板剂对制备V205微晶工艺和产物形貌的影响。通过XRD，
0的
加入量对晶体的合成温度有一定影响，添加质量分数5％的PVP．K30
在不同煅烧温度下制备得到的V205微晶的XRD图谱的衍射峰位置
0
与标准卡片对应较好。当煅烧温度500℃时，添加lO％的PVP．K3
可以得到沿c轴生长的长棒状V205晶体，其长度约为5
lxm。当以
面的衍射强度升高；除此之外，随着PEG．4000质量分数的提高，在
同样的制备条件下，可得颗粒更微小，生长更整齐，团簇面积更大
的v20，晶体团簇，每一个片状晶体宽度约在0．5-1gm。
的合成温度下(400℃)制备出了结晶性能有所改善的V205微晶。
系统研究了煅烧温度、pH值等因素对V205微晶的影响。采用X．射
烧温度为500℃时能得到结晶性最为优良，晶体形状生长最好，尺寸
在2～3
体形貌均匀，分散性好，尺寸约为1-2
pm，晶体生长最完全完整均
1
匀，I(001)／I(01
6、2．05、2．00eV，
反应后得到的V205微晶光学带隙宽度Eg分别为2．1
光学带隙宽度随着煅烧温度的升高而减小。
关键词：V205，溶胶．凝胶法，微晶，禁带宽度
II
RESEARCHONPREPARATIONoF
V20s
PoWDERSBYSoL．GELPRoCESS
ABSTRACT
is toorthorhombic with
V205belonged crystalsystem
has
isonekindoftransitionmetaloxideswhich
structure，it layered
haswide canbeusedasa
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