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第37卷第3期 红外与激光工程 2008年6月
V01．37No．3 InfraredandLaser Jun．2008
Engineering
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
李欢1，牛萍娟1，杨广华1，李俊一2，张宇2，常旭3，张秀乐s
(1．天津工业大学信息与通信工程学院，天津300160；
2．中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京100083；
3．河北工业大学土木工程学院交通工程系，天津300130)
摘 要：介绍了Sil—届岛合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用，描述了应变SiGe层的
特性，包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加，以及应变SiGe层的亚稳态特性。设
电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟。结
果显示，探测器有源区面积增大，其响应电流也增大，且暗电流比其响应电流小6-8个数量级；探测
器的响应时间约为3．8xlO-9S；探测器在850
am左右具有较好的光响应；这些结果都比较理想。采用
L-edit软件设计了该光电探测器的结构，最后对研究结果做出总结。
关键词：光电探测器； 锗硅； 缓冲层； Silvaco
中图分类号：TN364+．2文献标识码：A 文章编号：1007—2276(2008)03—0440—04
andsimulationof GecontentPINSiGe
Design high
LI
Huanl，NⅣPing-juanl，YANGGuang-hual，LIJun-yi2，ZHANGYu2，CHANGxu3，
ZHANGXiu．1e3
ofInformationandCommunication
(1．School Engineering，TianjinPolytechnic 300160，China；
University，Ti删in
Reserchand of
2．Opto-electronicDepartementCenter，Institute of
Semiconductors，Chine．reAcademySciences，Bcijing100083。China；
of ofCivil of
3．DepartmentTransportionEngineering，CoHegeEngineering，HebciUniversityTechnology，Tianjin300130，China)
an tO
Abstract：Sil取ismaterialfabricatenew device．Charac．
important type
photoelectronic
teristics
ofSiGestrain were therelationbetweencriticalthickn
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