哈工大模拟电子技术基础习题册(计算机学院用).docVIP

习题解答 【】 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。漂移电流是 在 作用下形成的。 3．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 4．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 5．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 6．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 7．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。 8．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。 9．当温度升高时，双极性晶体管的β将 ，反向饱和电流ICEO将 ，正向结压降UBE将 。 10．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 最为方便。 11．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ；在饱和区，应保证 和 ；在截止区，，应保证 和 。 12．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解： 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 杂质浓度，温度，少数载流子，(内)电场力。 单向导电性，正向导通压降UF和反向饱和电流IS。 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），工作电流（IEmin），最大管耗（PZmax）和动态电阻（rZ） 增大; NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。 结型，绝缘栅型，多数，单极型。 电压，电流。 变大，变大，变小。 各管脚对地电压; 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 左移，上移，增大.。 【】1-2的各电路图中，E=5V，ui=10V，二极管D视为理想二极管，试分别画出输出电压uo的波形。 (a) (b) 图1-2 题1-2电路图 解： 波形如图1-2（a）（b） 图1-2 (a) (b) 【】 1-3中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通过的电流。（1）UA=10V，UB=0V；（2）UA=6V，UB=5V；（3）UA=UB=5V。设二极管为理想二极管。 图1-3 题1-3电路图 解： （1）截止 （2）导通，截止 （3） 均导通 【】 图1-4 题1-4电路图 解： 图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V. 【】 图1-5 【】【】。 图1-7 题1-7晶体管电极电流图 解： 图中I3＝0.03mA应改为I2＝0.03mA，箭头向右。①－c，②－b，③－e ；PNP型 ； ＝＝40 【】 图1-8 题1-8晶体管对地电压图 解： 晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。 【】 (a) (b) 图1-9 题1-9转移特性曲线 解： （a）P沟道增强型MOS管，开启电压UGS（th）＝－2V，IDO= -1mA 在工作点（UGS＝－5V， ID＝－2.25mA）处， gm= （b）N沟道耗尽型MOSFET，