不同直径ZnO纳米锥阵列的可控合成及其发光特性-中国科学.PDF

中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 3 期 : 445 ~ 452 SCIENCE IN CHINA PRESS 不同直径ZnO 纳米锥阵列的可控合成及其发光特性 * 马军虎, 杨合情 , 宋玉哲, 李丽, 谢小莉, 刘瑞妮, 王林芳 陕西师范大学化学与材料科学学院, 大分子科学陕西省重点实验室, 西安 710062 * E-mail: hqyang@ 收稿日期: 2008-01-26; 接受日期: 2008-07-08 国家自然科学基金(批准号:和教育部博士点基金(批准号: 20060718010)资助项目 摘要 通过锌片与 3 mol/L 丁胺水溶液在100~180℃水热反应12 h直接在锌片上原位生长 关键词 出ZnO纳米锥阵列. 利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进 ZnO 行了表征和分析. 结果表明, 所制备的ZnO纳米锥为六方纤锌矿结构, 生长方向为[0001]. 通过 ZnO 纳米锥阵列 丁胺 反应温度的改变制备出了不同直径ZnO纳米锥组成的阵列. 研究了ZnO纳米锥的生长过程, 光致发光 提出了可能的生长机理, 解释了所观察到的实验现象. 研究了ZnO纳米锥阵列的光致发光特 性, 观察到了分别起源于自由激子发射和激子-激子碰撞的396 和377 nm的紫外光发光峰和 2-E2 声子复制. ZnO 是一种宽带隙半导体材料, 其带隙宽度为 积法(MOCVD), 分别在单晶硅片或ZnO 纳米颗粒覆 [17] 3.37 eV, 它的激子结合能(60 meV) 比GaN(25 meV, 100 盖的单晶硅片上得到了ZnO纳米针阵列. Zhu等人 , cm−1) 的还要高. 由于其优异的光学、电子学和化学性 Zhang 等人[18]和Tseng等人[19] 以锌粉为锌源, 采用化 质, 在太阳能电池、光催化、光电二极管和传感器等 学气相沉积法(CVD)在单晶硅衬底或Ga掺杂的ZnO 领域具有广泛的应用前景[1,2]. 自从 2001 年ZnO纳米 膜上生长出了ZnO纳米锥阵列. 这些MOCVD和CVD [3] [4] 带 的发现和直立ZnO纳米线阵列的激光发射 实现 法的设备昂贵、操作复杂、反应都需要在较低的压力 以来, 有关ZnO各种纳米结构的制备及其物理化学性 (0.005 MPa)和较高的温度(400 ℃)下进行, 而且需 能的研究受到人们的极大关注. 到目前为止, 人们已 要价格昂贵的单晶衬底以及ZnO纳米颗粒做晶种. 所 [5] [3,5] [6] 经制备出了ZnO纳米线 、纳米带 、纳米弹簧 、六 以采用低温的湿化学法来制备ZnO 纳米锥具有非常 边形的纳米片和纳米环[7] 以及一维ZnO纳米棒阵列和