铜箔表面电镀铜粗化工艺.docVIP

铜箔表面电镀铜粗化工艺 摘要 国产铜箔表面粗糙度不够, 直接影响镀镍层的形态, 用作高分子温度系数热敏电阻时与高分子聚合物的结合强度不够, 致使其使用性能不达标。为了提高铜箔与有机材料间的结合强度, 常采用表面粗化工艺。采用酸性硫酸盐镀铜工艺对铜箔表面进行粗化, 并用微分电容曲线的电化学测量和扫描电镜及金相显微镜表征了铜箔粗糙度。结果表明, 粗化电流密度为20 A /dm2时, 粗化效果最为明显, 在抗拉端面面积相同的情况下, 国产铜箔抗拉强度由粗化前的60. 85 N /cm2增大到粗化后的137. 81 N /cm2, 接近国外商品铜箔的抗拉强度138. 26 N /cm2。 关键词 表面粗化; 电镀铜; 微分电容; 扫描电镜; 抗拉强度 高分子正温度系数热敏电阻又称自恢复保险丝( PPTC ), 是一种新型的过流保护元件, 其器件的核心部位是铜箔镀镍后与高分子导电聚合物的结合面。常温下高分子材料中的导电粒子呈低电阻链状结构, 并处于导通状态, 当温度升到PPTC 的开关温度时, 由于材料中导电粒子形成的链发生断裂, 材料的电阻将大幅提高, 从而起到保护电路的作用[ 1, 2] 。然而, 国产的PPTC铜箔表面镀镍层与高分子导电聚合物的结合强度往往达不到要求, 其主要原因在于铜箔基体的表面状态, 而铜箔表面的结晶组织形态、粗糙度等都直接影响到镀镍层表面形态[ 3, 4] 。本工作通过测量铜箔表面微分电容得出真实表面积, 实现表面粗糙度量化, 同时结合扫描电镜观察铜箔表面微观形貌, 进一步分析铜箔表面粗糙度对PPTC性能的影响, 提出了铜箔表面高电流密度电镀铜的粗化工艺。 1 试 验 1. 1 基材处理 铜箔材料为国产、日本产铜箔(两种铜箔均由新乡市俊业新材料有限公司提供)。前处理工艺: 电化学除油?? 水洗??酸洗?? 水洗?? 侵蚀?? 水洗?? 烘干。除油液配方及工艺规范: 10 g /L NaOH, 20 g /L N a2CO3, 30 g /LNa2 SiO3, 采用阴极除油, 温度70 ~ 80 , 时间1 m in。酸洗液配方及工艺: 100 g /L H2 SO4, 100 g /LFe2 ( SO4 ) 3, 时间1 m in。用于电化学微分电容曲线测量的铜箔尺寸为1 cm ! 1 cm, 其粗糙面为工作面, 反面为光滑面, 用环氧树脂密封后, 将其作为工作电极。抗拉强度试验工作面为表面积2. 47 cm2的圆形端面, 与有机层热黏合后在材料试验机上拉开, 以测定其结合力[ 5 ] 。 图1 国产和日产原始铜箔表面金相显微形貌x 400 ! 图1为国产和日产铜箔表面的金相显微形貌。由图1可以看出, 日产铜箔表面粗糙度高于国产, 表面结晶颗粒大且均匀, 排列紧密、规整。图2是其微分电容曲线。 图2 国产和日产原始铜箔微分电容曲线 对图2的曲线进行拟合计算, 得出积分电量Q和双电层微分电容C。表1为国产与日产铜箔微分电容和抗拉强度。 表1 国产与日产铜箔微分电容和抗拉强度结果 铜箔 Q /C C /??F S真/ cm2 P (抗拉) / (N? cm- 2 ) 国产 1. 63x10-4 13 665. 80 683. 29 60. 85 日产 2. 81x10-4 23 429. 19 1171. 45 138. 26 注: C = Q /# ??, # ??= 0. 012V; S真= C /CN, CN = 20 ??F/ cm2。 由表1可以看出, 国产铜箔与日产铜箔真实表面积有很大的差别, 前者的抗拉强度不及后者的1 /2。各种参数表明, 要获得较好的抗拉强度和较大真实表面积必须对铜箔进行表面处理增大表面粗糙度。 1.2 表面粗化、固化 对前处理后的铜箔作2步粗化处理以提高其真实表面积和粗糙度。粗化及固化均采用酸性硫酸盐镀铜工艺。粗化工艺: 20 g /L Cu2+ , 70 g /L H2 SO4, 30 g /L葡萄糖, 10~ 15 g /L 钼酸铵, J c = 15 ~ 30 A /dm2, 温度50 , 时间10 s, 空气搅拌。固化工艺: 70 g /L Cu2+ , 90g /L H2SO4, 30 g /L 葡萄糖, 10~ 15 g /L 钼酸铵, J c = 10A /dm,温度50 , 时间15 s, 空气搅拌。 1.3 测试分析 采用三电极体系, 不锈钢既是三电极容器又作为辅助电极, 甘汞电极为参比电极, 镀镍铜箔为研究电极, 溶液为20 g /L CuSO4, 40 g /L H2SO4, 采用C