半导体物理第六章下.pptVIP

第六章P-N结 材料化学 刘小凤 110420148 6.3 P-N结电容 P-N结有整流作用，同时还有破坏整流作用的因素。——PN结电容 频率对P-N结整流作用的影响，为什么有电容特性，以及电容大小和什么因素有关。这就是本节所讨论的主要问题。 1 p-n结电容的来源 2 突变结的势垒电容 3 线性缓变接的势垒电容 4 扩散电容 PN结电容的来源 p-n结电容包括势垒电容和扩散两部分。 （1）势垒电容CT （2）扩散电容： 在势垒区的两边存在一个非平衡少数载流子的扩散区域，将由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化而产生的电容效应称之为p-n结的扩散电容，用CD表示。 微分电容 p-n结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而 变 化，因此引入微分电容的概念来表示p-n结的电容。 当p-n结在一个固定的直流偏压V作用下，叠加一个微小的交变电压dV时，这个微小的电压变化dV所引起的电荷的变化dQ称为这个直流偏压下的微分电容。 ：C=dQ/dV p-n结的直流偏压不同，微分电容也不相同。 6.5 p-n结隧道效应 由重掺杂的p区和n区形成的P-N结通常称为隧道接。 隧道长度越短，电阻穿过隧道的概率越大。从而可以产生显著的隧道电流。 （1）隧道结未加电压时，p区和n