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第4章 半导体的导电性 (Electrical Conductivity) 2 Mobility（迁移率） 例题 4.5 Hight-Field Effects (强电场效应) 3 Gunn effect (耿氏效应) * 4.1.载流子的漂移（drift）运动 半导体中的载流子在外场的作用下，作定向运动---漂移运动。 相应的运动速度---漂移速度 。漂移运动引起的电流---漂移电流。 1、 drift (漂移) 定性分析：迁移率的大小反映了载流子迁移的难易程度。 可以证明： ------迁移率 单位电场下，载流子的平均漂移速度 3 影响迁移率的因素 不同材料，载流子的有效质量不同；但材料一定，有效质量则确定。 对于一定的材料，迁移率由平均自由时间决定。也就是由载流子被散射的情况来决定的。 半导体的主要散射（scatting）机构： * Phonon （lattice）scattering 声子（晶格）散射 * Ionized impurity scattering 电离杂质散射 * scattering by neutral impurity and defects 中性杂质和缺陷散射 * Carrier-carrier scattering 载流子之间的散射 * Piezoelec