SU_8胶模去除技术(word版).docVIP

摘要:对各种去胶技术的原理、优缺点及其适用场合进行了综述，并结合本实验室的电铸Ni结构去 胶试验，对强碱熔盐浴氧化、强酸氧化等经济有效的去胶方法进行了有益发展。最后介绍了SU- 8 辅助去胶技术，如辅助剥离牺牲层技术、辅助电铸结构抵抗去胶剥落的桩基形成技术。提出了一 种与多层互连电路微制造兼容的金属桩基形成技术，并采用强酸氧化去胶方法在制作有互联电路 及薄膜电极的基片上成功地集成了200 1}m厚的Ni结构。 关键词:微机电系统;;SU-8 ;去胶;高深宽比;桩基 中图分类号:TN305. 7文献标识码:A SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线 (350 nm^-400 nm)光刻胶，可用电子束、X射线，尤 其是I线(365 nm)紫外光进行曝光光刻「‘]，它在近 紫外光范围内光吸收度低，故整个光刻胶层所获得 的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁外形和高 深宽比的厚膜图形，常用于低成本UV-L IGA技术， 作为电铸微结构的模具;SU-8胶还具有良好的力学 性能、抗化学腐蚀性、热稳定性和生物兼容性，能形 成结构复杂的图形，可作为微流体、微光学、生化芯 片等MEMS器件的结构材料，同时还可用于芯片封 装等领域。 基于SU- 8胶的L IGA/ UV-L IGA技术的典型工 艺为「‘一a}:基片(可含IC或其它微制造元件)清洗 —沉积种子层如Ti ,Cr/ Au等—旋涂SU- 8，单次 旋涂可达数百微米厚—前烘(65 0C,95冯—X 射线或近UV光曝光—后烘((PEB ,65 0C,85℃一 95劝—显影—硬烘坚模(150 0C^-200℃，可 竺二生1塑里黑，Cu , FeNi一磨平(可 选)—去除SU- 8胶模—去种子层。 SU-8胶是由多功能团、多分支有机环氧胶E- PON SU-8溶于有机液(CAL或环戊酮)中，并加入 少量光引发剂(三芳基硫盐)而成[2]。当曝光时，光 子被吸收，光引发剂产生光化学反应，生成强酸。在 后烘((P EB)时，曝光区域在强酸的引发催化作用下， 分子发生交联(cro sslinked)，并以链式增长，经扩展 就形成了交联网络;若再经硬烘焙，就形成了致密的 完全交联网络，这种交联网络不溶于有机显影液，并 能抵制膨胀。但同时，这种高度交联网络使得SU- 8 胶模很难去除，尤其在不损坏电铸金属结构及其它 微制造元件的前提下，这就大大制约了SU-8 LIGA 技术与IC或其它微制造工艺的集成制造能力，同时 对精细零部件的加工也有很大的局限性，即微小狭 缝、孔洞内的光刻胶同样难以完全去除。 SU-8去胶问题是个大难题。目前的各种化学 去胶溶剂都不能溶解交联的SU-8 o SU-8胶的著名 生产商Micro Chem公司提供的去胶剂PG，只是溶胀 (swell)和剥离((lif t-off)少部分交联的SU- 8胶，不能 去除硬烘全交联的胶模「‘]。有些用户已开发了各种 各样的去胶方法如机械的、物理的、化学的(干法和 湿法)[’一}l，它们各具优缺点和适用范围，并且多数 去胶方法都会不同程度的损坏电铸金属结构或导致 其从基底上脱落，到目前为止，暂时还没有一种与集 成微制造兼容的且经济有效的去胶方法。 按去胶原理的不同，可将目前出现的SU- 8去胶 技术分为三类:机械物理去胶技术，如高压水喷、低 温冷冻/高温解冻、准分子激光消融等;干法化学去 胶技术，如高温灰化、RIE刻蚀灰化、微波等离子体 下游化学刻蚀((DC E)、发烟硝酸等;湿法化学去胶技 术，如化学溶剂剥离、强碱熔盐浴氧化、强酸氧化等。 按以上分类，本文对各种去胶方法的原理、优缺点及 适用场合进行了综述，并结合本实验室的电铸Ni结 构的去胶试验，对强碱熔盐浴氧化、强酸氧化等比较 经济有效的去胶方法进行了有益发展。最后介绍了 辅助去胶技术，如辅助剥离牺牲层技术、辅助电铸金 属结构抵抗去胶剥落的桩基形成技术。提出了一种 与互连电路表面微制造工艺兼容的金属桩基形成技 术，并成功地进行了去胶试验。 2. 1机械、物理去胶技术 对于要求从基片上剥离的电铸金属零部件的去 胶而言，可通过高压水喷或喷珠、高温分解、液氮 (一196冯冷冻/解冻等简单、经济的机械、物理方 法去除SU- 8胶模。 由于SU- 8胶的线热胀系数((52 X10-6/冯比一 般基片、电铸金属的高得多，利用热胀系数的不匹 配，通过低温冷冻/高温解冻可方便地去除大块SU- 8胶模，且对电铸金属的性能影响不大，但对高深宽 比封闭狭槽、空洞中的小面积胶模去除仍较困难。 另外一种物理方法是利用远紫外准分子激光消 融((laser ablation)来去除SU- 8胶，其工作机理是在 高能脉冲准分子激光作用下，聚合物的某些结合