逻辑器件侧墙蚀刻工艺分析研究.pdf

下载文档 降价啦

20
0
约4.61万字
约 53页
2017-09-08 发布于安徽
举报
版权申诉
保障服务

逻辑器件侧墙蚀刻工艺分析研究.pdf

1、本文档共53页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

『 4．2谓整蚀刻工艺参数，以控制残余二氧化硅的厚度． 40 4．2．ISIN 41 ME对残余二氧化硅厚度的影响 4，2．2SIN ． 43 OE对残余二氧化硅厚度的影响… ．．．…． 45 42．3调整02导致WAT电性变化．． 4．3吸酣电压、温度和磁场与残余二氧化硅厚度的关系 45 4．3．1吸附电压效应．．．．．．．．．．．．．．．．．． 45 4．3．2温度效应．．．．…．．．．．．．．．．…．．．． 46 4．3．3磁场效应．．．．．．．．．．．．，．．．．．．．． 47 48 4．4残余二氧化硅厚度改善的结果．．．…．．．．．．第五章结论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 5l 参考文献．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．……．．．．．． 52 致谢．．．．．．．…．．．．．．．．．．．．．．．．．．．…．…．．．． 54 论文独创性声明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． l 通过系统研究，侧墙度也得到了更好的控制。有一定的借鉴作用。关键词：蚀刻侧墙中圈分类号：TN47 Abstract the anew revolutionand force Weare driving undergoingtechnological ofthesemiconductorwhich ofitisthecontinuous industry development andmanufacturi thedevelopmentofsemiconductor’s ng promotedby design semiconductor innovationNowtheinternationai I