FM20L08的应用指南.pdf

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2017-09-08 发布于湖北
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FM20L08的应用指南

FM20L08的应用指南 FM20L08的特点： 128K*8的FRAM 存储器。低电压保护软件写保护 FM20L08的工作电压(VDD)：最低电压: 3.135V 典型电压: 3.3V 最高电压: 3.63V FM20L08的I/O 输入电压最高电压:3.93V 最低电压: -0.3V FM20L08随机读写操作:[A(03-16)变化,/CE需要有充电时间] 访问时间: 60ns 充电时间: 90ns 读写时间:150ns 读写时序: FM20L08页读写操作:[A(03-16)不变化,A(0-2)变化,/CE无须变化] 访问时间: 15ns 写周期: 30ns 读写时序 FM20L08的低电压保护 VTP最小值:2.7V VTP最大值:3V FM20L08的软件保护 Read 05555h - Read 1AAAAh - Read 03333h - Read 1CCCCh - Read 100FFh - Read 0FF00h - Write 1AAAAh #Data Write 1CCCCh /#Data Write 0FF00h - Read 00000h - FM20L08的参考电路设计: 1. 替换原由的128K的存储(不修改程序,采用随机读写模式) 利用ALE信号的解决方案。采用R/W信号产生FRAM的片选信号，具体的方式如下图具体电路: FM20L08 在 3V 系统随机读写模式硬件图 2. 新设计(建议采用页操做模式,CS直接相联) 数据线和低8 位地址复用系统的连接图 FM20LO8在3V 电压系统页操作模式的硬件电路图(MCU的数据线和低8 位地址复用) FM20L08在3V 系统中页操作模式电路图(地址线和数据线完全分开) 页操做模式的注意事项: 在软件的读写操作中必须设置当地址线的变化不在 A(0-2)中时,对每个地址操作后,/CS 必须变化. FM20L08如何应用于 5V的系统中 1. 替换原由的128K的存储(不修改程序,采用随机读写模式) 利用ALE信号的解决方案。采用R/W信号产生FRAM的片选信号，具体的方式如下图具体电路