Sn及SnPb薄膜表面锡须生长的分析研究.pdf

中文摘要 采用Blech结构，利用掩膜及磁控溅射方法，在玻璃基底上分别制备了纯 Sn和SnPb合金条状薄膜。测试样品放置在室温环境中，加载电流长度为170 04 A／cm2，1．2×lA／cm2，2×104 gm、250gm、450岫，加载电流密度分别为6×103 A／cm2，利用电迁移理论研究了不同的电流密度和加载电流长度对纯Sn和 SnPb薄膜质量输运过程的影响。 实验中发现，电流密度对样品内部的质量输运过程影响很大，在电流密度为 6x103A／cm2时，长时间加载电流，两种薄膜样品的阴极和阳极基本没有变化。 对于纯Sn薄膜，电流密度1．2×104A／cm2是一个锡须生长的适宜条件，样品温 度40oC，也是锡须牛长的适宜温度。在上述条件下，纯Sn薄膜的阳极出现了 大量细丝状锡须，阴极出现了明显的空穴消耗区。SnPb薄膜由于Pb的添加， 改变了薄膜的内部和表面结构，在阳极出现了大量的小丘状凸起。 电流密度2x104A／cm2条件下，由于电流聚集效应和焦耳热效应的影响，两 种样品的阳极都出现了熔化的现象。不同于纯Sn薄膜的是，SnPb薄膜在此电 流密度下，经过35h样品表面出现了明显的三区分层：空穴消耗区，富Sn区 和富Pb区。这是由不同元素的电迁移率不同造成的。 采用溅射方法在Cu和玻璃基底分别镀了一层厚度为1 gm的纯Sn薄膜， 放置在自然环境中。经过一段时间，以Cu为基底的试样表而有明显的锡须生 长现象，而玻璃基底表面没有发现锡须生长。Cu基底试样表面锡须生长的驱动 力来源于Cu向Sn层中的扩散导致的界面和晶界处金属间化合物的形成。实 验过程中玻璃基底表面出现了两种颜色不同的Sn薄膜，经过分析得出：两种Sn 薄膜结构不同。黑灰色薄膜表面锡须生长迅速，而灰向色薄膜表面没有锡须生长。 可以认为黑灰色薄膜结构中存在(101)晶面，有利于锡须生长。 关键词：锡须，磁控溅射，电迁移，自发生长 ABSTRACT SnandSnPb in onthe thickness，were substrate， strips，0．8Ⅲm sputteredglass Blechstructureandmasks．Thewere atroom using samplesplaced temperature．The ofcurrent effective stresswere170 and450 thecurrent length pm。250Ⅲ11 lain，and densitieswere6×103 104 A／cm2，1．2xA／cm2and2x1 04 effect A／cm2，respectively．The ofdifferentcurrentdensitiesanddifferenteffectiveOilthemass was len舀hs migration studied method． usingelectromigration Itwasfoundthatcurrentdensitieshada influenceonthemass great migrati