半导体存储器及存储扩展.ppt

鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 半导体存储器 读/写控制逻辑 芯片操作 0-有效 1 0 读操作 0 1 写操作 1-无效 X X 脱离总线 CS WE OE 双向三态数据缓冲器 与总线连接，缓冲读出/写入的数据 三态，CS有效三态打开，与总线连接 CS无效则悬空，与总线隔离 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 存储系统的层次结构 存储器性能指标 存储容量 存取速度 位价 可靠性 功耗 单存储器 越快 越低 越高 快 大 低 矛盾！ 对存储器的要求： 速度 容量 位价 解决方法：采用多级存储器 层次结构的存储系统 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 存储系统的层次结构 寄存器 缓存 主存 磁盘 光盘 速度 容量 位价 CPU内部 高速缓冲Cache 主存储器 辅助存储器 三级存储体系 主存、Cache、辅存 主存储器 CPU 高速缓冲 辅助存储器 增加访存速度 增加存储器容量 三级存储体系 获得速度，容量和价格的平衡 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 半导体存储器RAM RAM 随机读写存储器 特点： 随机-访存时间与物理位置无关 读/写-可以进行读操作和写操作 掉电易失性 根据存储原理分为： 静态RAM—SRAM Static RAM 动态RAM—DRAM Dynamic RAM 存储原理：触发器原理 存储原理：电容储电原理 SRAM DRAM 速度 快 慢 集成度 低 高 位价 高 低 是否需要刷新 不需要 需要 应用 Cache 内存条 3管或单管 6管/位 电荷自然流失 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 半导体存储器ROM ROM 只读存储器 特点： 随机-访存时间与物理位置无关 只读-不能随意写入，写-编程 掉电非易失性 用于存放固化程序 按生产工艺和单元结构可分为： MROM-Mask ROM PROM-Programmable ROM EPROM- Erasable Programmable ROM EEPROM- Electrically Erasable Programmable ROM FLASH MEMORY * * * * 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 半导体存储器-ROM II.ROM MROM PROM EPROM EEPROM FLASH MEMORY 27系列常用EPROM与同容量SRAM管脚兼容 2716,2732,2764,27128,27256,27512等 2716(2K*8bit) GND 2716 VCC VPP A7 A8 A9 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 D0 D1 D2 D5 D4 D3 D7 D6 A10 OE CE PGM 地址管脚和数据管脚由容量决定，同SRAM相比 不同点： 只读，WE管脚换为VPP编程电压管脚 片选管脚，CE同时复用编程脉冲管脚 EPROM控制管脚 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 半导体存储器-ROM II.ROM MROM PROM EPROM EEPROM FLASH MEMORY 与EPROM相比，EEPROM具有以下特点： 电可擦，不需要单独擦除器件 不需要额外的编程电压 EEPROM使用方法与RAM类似 可直接读/写，写之前对应单元擦除 集成度比EPROM低，容量小 但存取速度比RAM慢的多 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 半导体存储器-ROM II.ROM MROM PROM EPROM EEPROM FLASH MEMORY FLASH MEMORY 闪存 改善EEPROM集成度低，速度慢的问题 具有以下特点： ①功能近似于RAM，可在系统进行读/写操作 ②集成度高，价格低，可靠性高 ③擦写速度快，可擦写次数多 ④只能按页/块进行擦除，不能对字擦除 FLASH MEMORY-各种存储卡 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 存储器扩展技术 3.存储器扩展技术 I.存储器的扩展方法 由于单芯片容量有限，需要使用多块存储器芯片构成系统的存储器-存储器的扩展 考虑多块芯片与系统总线之间 数据线的连接 地址线的连接 控制线的连接 鲁东大学 LUDONG UNIVERSITY 位扩展 存储器扩展技术 3.存储器扩展技术 I.存储器的扩展方法 问题1：用两块2114（1K*4bit）构成1K*8bit的存储空间 1K*4bit 1K*8bit 目标存储