GaAs表面相变动态过程的的分析研究.pdfVIP

目 录 目 录I 摘 要II AbstractIII 第一章 绪论1 1.1 GaAs 材料和薄膜生长1 1.1.1 GaAs 材料的基本性质1 1.1.2 GaAs薄膜生长3 第二章 实验方法5 2.1 Ultra-highvacuum 5 超高真空系统（ ） 2.1.1 平均自由程5 2.1.2 单层覆盖时间6 2.2 MolecularBeamEpitaxy 9 分子束外延系统（ ） 2.2.1 MBE的基本原理9 2.2.2 砷蒸气压的校准10 2.2.3 RHEED的工作原理14 2.2.4 高能电子衍射（RHEED）对生长过程和生长速率的监测15 2.2.5 衬底温度的测量18 2.2.6 与RHEED相关的样品盘改造20 2.3 扫描隧道显微镜（ScanningTunnelingMicroscope）22 2.3.1 扫描隧道显微镜的原理22 2.3.2 电化学腐蚀装置的设计、制备STM探针23 2.3.3 扫描隧道显微镜的结构和工作模式26 2.4 MBE与STM的联合系统27 第三章 粗糙化和自发岛形成的动态过程31 3.1 表面重构31 3.2 相变33 3.2.1 艾辛模型34 3.2.2 表面粗糙化的理论模型37 3.3 GaAs（001）表面粗糙化动态过程38 3.3.1 研究意义38 3.3.2 实验过程39 3.3.3 实验结果39 3.3.4 实验讨论41 第四章 临界减慢描述GaAs表面自发岛形成的动态过程43 4.1 临界减慢理论背景43 4.2 实验过程44 4.3 总结动态过程和临界减慢45 第五章 结论50 I 致 谢51 参考文献52 攻读硕士学位期间发表的论文和参加科研情况55 II 摘 要 GaAs（001）表面岛状结构自发形成的动态过程是研究薄膜生长机制微观理论一 个重要的研究方向。本文利用扫描隧道显微镜（STM）的一系列表面形貌图，对GaAs （001）表面岛状结构形成的动态过程进行分析，并且从表面结构和能量的角度进行解 释。本论文以二维格气艾辛模型和临界减慢的理论原理为指导，通过一系列的实验得 出GaAs（001）表面相变的动态过程，并得到以下结论： 1.一定退火温度下，不同的退火时间，得到不同的表面形貌。GaAs（001）表面粗 糙化程度（岛的覆盖率）与退火时间之间的关系：随着退火时间的增加，岛的覆盖率 0 50% 从 逐渐增加到 ，保持恒定，表面达到平衡。 2.岛状结构自发形成的初期，坑和岛的覆盖率基本相同，说明岛是伴随着近邻的坑 − [1 0] 形成而形成的。从时间上来说，坑最初是沿着 1 方向破