课件3 门电路.pptVIP

2.工作原理 （2）TTL反相器的电压传输特性及参数 （3）TTL反相器的输入特性和输出特性 （4 ）TTL反相器的动态特性 （2）集电极开路门（OC门） §2.5 CMOS门电路 图2.6.4 不同VDD下CMOS反相器的噪声容限 3、输出逻辑表达式 例1、 电路结构见图 一、CMOS与非门（以二输入为例） 1、 组成 两TP管在上，并联； 两TN管在下，串联； 2、工作原理 只有当AB同为1、 使串联的TN管同时导通时 ，输出才为0， 其它情况输出为1。 A B 0 0 0 1 1 0 1 1 T3P T1P T2N T4N Y B A 功能特点： 1 1 1 0 通 通 通 通 通 通 通 通 止 止 止 止 止 止 止 止 T1 T3 +VDD Y T2 T4 A B Y=A?B Y=A?B 二、 CMOS或非门（以二输入为例） 3、输出逻辑表达式： Y=A?B 1、 组成 两TP管在上，串联； 两TN管在下，并联； 2、工作原理 只有当AB同为0、 使串联的TP管同时导通时 ，输出才为1， 其它情况输出为0。 功能特点： A B 0 0 0 1 1 0 1 1 T3P T1P T2N T4N Y B A 通止通止 通通止止 止止通通 止通止通 1 0 0 0 B A T3 T1 T2 T4 VDD Y =A+B 为了克服上述缺点，可在门电路的输入、输出端增设“缓冲器”。 CMOS门电路的优点：电路结构简单 CMOS门电路的缺点： 1）输出电阻RON的大小，受输入端状态的影响 2）输出电平UOL、UOH，受输入端数目的影响 缓冲器可由CMOS非门组成。 增加缓冲器后，电路的逻辑功能将改变： 1 1 1 A B Y 1 1 1 A B Y ≥1 Y=A+B Y=A·B =A·B =A+B 三.带缓冲级的CMOS门电路 1.CMOS传输门（TG） 组成和逻辑符号 当C=0时，C=1时， 当C=1时，C=0时，T1、T2总有一个导电，传输门导通。 如同TTLOC门，CMOS OD门，可用来实现“线与逻辑”。 工作时，要求UI在0?VDD之间变化。 CMOS传输门是双向输入和输出器件，两端可以互易使用。 C T2 T1 VDD VI/VO VO/VI C TG C VI/VO VO/VI C 四. OD门（漏极开路的门电路） 五. CMOS传输门 T1、T2截止，传输门截止。 3.4 TTL门电路 噪声容限（ UNL和UNH ） 噪声容限也称抗干扰能力，它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。UNL和UNH越大，电路的抗干扰能力越强。 3.4 TTL门电路 输入伏安特性 3.4 TTL门电路 两个重要参数： (1) 输入短路电流IIS 　　当uI = 0V时，iI从输入端流出。 iI =－(VCC－UBE1)/R1 =－(5－0.7)/4 ≈－1.1mA (2) 高电平输入电流IIH 当输入为高电平时，VT1的发射结反偏，集电结正偏，处于倒置工作状态，倒置工作的三极管电流放大系数β反很小(约在0.01以下)，所以 iI = IIH =β反 iB2 IIH很小，约为10μA左右。 3.4 TTL门电路 　　TTL反相器的输入端对地接上电阻RI 时，uI随RI 的变化而变化的关系曲线。 输入负载特性 3.4 TTL门电路 　　在一定范围内，uI随RI的增大而升高。但当输入电压uI达到1.4V以后，uB1 = 2.1V，RI增大，由于uB1不变，故uI = 1.4V也不变。这时VT2和VT4饱和导通，输出为低电平。 虚框内为TTL反相器的部分内部电路 3.4 TTL门电路 RI 不大不小时，工作在线性区或转折区。 RI 较小时，关门，输出高电平； RI 较大时，开门，输出低电平； ROFF RON RI→ ∞悬空时？ 3.4 TTL门电路 　　(1) 关门电阻ROFF —— 在保证门电路输出为额定高电平的条件下，所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF≈ 0.7kΩ。 　　 　　(2) 开门电阻RON—— 在保证门电路输出为额定低电平的条件下，所允许RI 的最小值称为开门电阻。典型的TTL门电路RON≈ 2kΩ。 　 数字电路中要求输入负载电阻RI ≥ RON或RI ≤ ROFF ，否则输入信号将不在高低电平范围内。 　 振荡电路则令 ROFF ≤ RI ≤ RON使电路处于转折区。 3.4 TTL门电