GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性.PDF

第36卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾36 No郾8 2015年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2015 文章编号:1000鄄7032(2015)08鄄0923鄄07 GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性 1* 1 1 1 郑新和 ,夏摇 宇 ,刘三姐 ,王摇 瑾 , 1 2 2 2 侯彩霞 ,王乃明 ,卢建娅 ,李宝吉 (1. 北京科技大学数理学院物理系,北京摇 100083; 2. 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州摇 215123) 摘要:采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1eV吸收带边的GaN As / In Ga As 0.03 0.97 0.09 0.91 应变补偿短周期超晶格(SPSL)。 高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到 20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。 然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。 对超晶格周期良好 的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量GaNAs/ InGaAs超晶格,吸收带边位于1 eV 附近。 使用10个周期的GaNAs/ InGaAs超晶格(10 nm/ 10 nm)和GaAs组成的p鄄i鄄n太阳电池的短路电流达 2 到10.23 mA/ cm 。 经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流鄄电压曲线得到的结 果一致。 关摇 键摇 词:GaNAs;超晶格;太阳电池;分子束外延生长 中图分类号:TM914.4摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0923 MBE Growth of GaNAs鄄based Superlattice Solar Cells and Device Properties 1* 1 1 1 ZHENG Xin鄄he ,XIA Yu ,LIU San鄄jie ,WANGJin , 1 2 2 2 HOU Cai鄄xia ,WANG Nai鄄ming ,LUJian鄄ya ,LI Bao鄄ji (1. Department of Physics,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China; 2. Key Laboratory of Nano鄄devices andApplications,SuzhouInstitute of Nano鄄tech and Nano鄄bionics,