微重力条件下溶液系统中晶体生长的模拟计算-物理学进展.PDF

物 理 学 进 展 V01l9．NO2 PROGRESS IN PHYSICS June，1999 Lf、 微重力条件下溶液系统 中晶体生长的 卷蛘 模拟计算 葛培文 许政一 霍崇儒 ． 7 。 (中国科学院钫理研究所，曳京 1~080) 朱振和 、 ● — _ — — 一 (中央民族大学物理果 。北京 l00081) 关键词 微重力 溶液中生长晶体 浓度分布 蔼嗣分布 溶 薪 玺 料 众所周知，在空问生长晶体是十分昂贵的。所 以除了在实验上要作细致的准备外 ，进 行必要的晶体生长模拟计算以指导实验设计是十分有益的。 晶体生长的模拟计算有两种方法：即Monte-Carlo方法L和流体力学方法 2【J。前者 很形象，但要得到有意义的物理信息，需要作一些有关微观相互作用的假设_3j。后者则 从宏观理论出发 ，就能给出较多的物理信息 ，特别是液态物质的输运特性。本文仅限于讨 论后者，并限于讨论溶液晶体生长系统。 对于溶液系统中的晶体生长，也有两种模拟方法。一种是文献[2]中的方法，即对于 一 个具体的实验情况，用各个部分的具体参数代人方程进行计算。算得的结果可以与实 验符合得很好，但在其他情形就不一定适用。另一种是用一个简单模型进行计算 ，虽然所 得结果的细节不一定与具体实验在量上相符 ，但是得到的一些定性结论却具有普遍意义。 我们的模拟计算即属于后者。 我们对 溶液 晶体 生长 系统取一 简单模 型，在 镦重力条件 下计算 了该 系统 的特 性 ，得到了一些有意义的结果 。设溶液充满一长方体容器 ，取直角坐标轴站着长方 体的三条边 ，并假设长方体 方 向的边 比另两边长得多 ，以致可认 为该方 向广大 中问区 域的情况不随位置变化，所讨论的问题简化为二维问题 。长方 体在 z和Y方 向分别长d 收稿 日期：l998—O9一l5；修回 日期 ：l999—02一l0 2期 葛培文等 ：微重 力条件下溶液系统 中晶体生长 的模拟计算 和b。籽晶片放置于 x=0处 ，构成该处容器壁 的 正 中的一部分 ，设籽 晶片在 方 向长为 f。而在 =n处放置一溶质材料源片而构成容器 的另一面 壁。设晶体的热导足够大．籽晶片的温度可保持为 常数。并设在籽晶片和溶质材料源片处 ，温度分别 图 l 溶液 晶体生长系统模型略图 为 t 和 丁 ，溶液浓度分别为该温度下 的饱和溶解 度 和0，重力方 向与一 方 向成 y角 ，此模型图示于 图 1。 1 理论 公式 根据流体力学理论Ⅲ]，对于不可压缩流体．由质量守恒得到连续性方程 ·u = 0 其中u是流体流速 Navier-Stoker方程为 Ot+(u · 1u=一 + u+， (21 其 中 p是压力 ，P是溶液密度 ， 是运动学粘滞系数 ，l，是单位质量溶液所受重力 。对流 一 扩散方程为 ：