能氦离子辐照对钨和钼材料的表面损伤作用.pdfVIP

第 38卷 第 11期 核 技 术 Vo1．38，No．11 2015年 l1月 NUCLEARTECHNIQUES November2015 低能氦离子辐照对钨和钼材料的表面损伤作用 李 月 范红玉 杨 铭 张义武 牛金海 (大连民族大学 物理与材料工程学院 大连 116600) 摘要 钨和钼材料具有高熔点、高热导率、低溅射率等优点成为国际热核实验反应堆计划中面向等离子体材 料的候选材料。因此研究钨和钼材料的辐照损伤行为对于认识面向等离子体材料的辐照损伤机制具有重要意 义。本文采用 120eV的 He在 873K对钨和钼材料进行辐照实验，利用纳米压痕仪与导电模式原子力显微镜 fConductiveAtomicForceMicroscopy，CAFM)相结合，原位比较了钨和钼材料在辐照前后的表面形貌、表面微 结构以及表层缺陷分布的变化特征。结果表明，低能He辐照会导致钨和钼材料的近表面产生纳米量级氦泡缺 陷，这些氦泡缺陷的存在使得样品表面产生绒毛或波浪状结构。纳米压痕深度分析和扫描电镜的分析结果表 明，低能He辐照会对 Mo材料产生明显的刻蚀作用。本工作对于进一步认识低能氦离子辐照对面向等离子体 材料的辐照损伤作用具有一定的科学参考意义。 关键词 辐照损伤，钨，钼，纳米压痕，导电原子力显微镜 中图分类号 TL627 DOI：10．11889j／．0253—3219．2015．hjs．38．110201 高质量数的W 和MO材料具有高熔点、高热导 射频离子源产生，在离子源的下端开设一直径为 率、氚滞留量低等优点，被作为面 向等离子体材料 1．0cm 的小孔，He离子束由小孔 中喷出并直接作用 (PlasmaFacingMaterials．PFMs)的候选材料而被广 于w 和Mo样 品表面 。为减少样 品的内部应力和缺 泛研究[卜31。在聚变服役环境下，PFMs将遭受高通 陷密度，对辐照前的w 和Mo样品进行了真空 (真 量的H 同位素、He离子束以及 14MeV中子束的辐 空度约 10 Pa)退火处理，退火温度为r1273+20)K， 照导致PFMs中空位、间隙原子、位错环、He泡等 退火时间为 1h。对退火后的样品进行辐照实验。实 缺陷的生成[]。辐照诱导的缺陷生成会大大降低 验中射频放电功率为400W，电感耦合的射频反应 PFMs的性能[1’6]，严重危害了聚变装置的稳定运行。 管中压力约为 l0Pa。在样品上施加负偏压一100V， 因此研究 PFMs的辐照损伤机制，特别是研究低能 以加速离子运动，利用朗缪尔探针诊断此条件下等 氢氦离子作用下PFMs的辐照损伤行为具有重要意 离子体 电势约为 20eV，因此，对应实验 中的辐照 义。本文在实验室 自主设计和搭建的材料辐照实验 离子能量约为 120eV。样品底端采用激光加热的方 系统上研究了120eVHe离子束对W、MoPFMs的 式，维持辐照时样 品温度为 873K，辐照的离子剂 表面损伤作用，采用纳米压痕仪和导电模式原子力 量为 1X10 ionsm·-，流强约为 10 ions．m-2．s_。。 显 微 镜 (Conductive Atomic ForceMicroscopy． 采用纳米压痕仪(Hysitron．TS．75)对 w 和 Mo CAFM)原位分析了样品在辐照前后的表面形貌及 样品进行了标记，纳米压痕仪加载的力分别为5mN 表层缺陷分布特征 。本工作对于进一步认识 w、 (w)和 3mN (Mo)。采用 CAFM (Vecco，DI3loo)原位 Mo材料的低能离子辐照损伤行为具有重要意义。 分析样 品在压痕标记处的表面