体与三极管.pptVIP

15.1 半导体的导电特性 15.2 PN结 15.2.1 PN结的形成 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/μA -20 -40 反向 死区电压 击穿电压 死区电压： 硅管：0.5伏左右，锗管： 0.1伏左右。 正向压降： 硅管：0.6~0.7伏左右，锗管： 0.2~ 0.3伏。 1.正向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 反向击穿电压U（BR）: 几十伏以上。 2.反向特性 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/μA -20 -40 反向 死区电压 击穿电压 15.3.3 主要参数 1.最大整流电流IOM： 二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM: 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。 3.反向峰值电流IRM: 二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。 主要利用二极管的单向导电性。可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。 15.3.4 应用举例 返回 例15.3.1 R和C构成一微分电路。画出输出电压 的波形。 设 + + + + - - - - u1 uR u0 C R RL D u1 U t uR u0 t t 例15.3.2: 图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。 -12V A B +3V 0V DB DA Y 解： DA优先导通， DA导通后， DB上加的是反向电压，因而截止。 VY=+2.7V DA起钳位作用， DB起隔离作用。 15.4 稳压管 一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。 稳压二极管亦称齐纳二极管(Zener Diodes)，与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的反向击穿区。因其具有稳定电压作用，故称为稳压管（Voltage Regulators）。 1.稳压管表示符号： 正向 + - 反向 + - IZ UZ 2.稳压管的伏安特性： 3.稳压管稳压原理： 稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。 稳压管的反向特性曲线比较陡。 反向击穿 是可逆的。 U/V I/mA 0 IZ IZM UZ 4 主要参数 （2）电压温度系数 （1）稳定电压 UZ 稳压管在反向击穿后稳定工作电压值。 说明稳压管受温度变化影响的系数 （3）动态电阻 rZ 稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值 管子不致发生热击穿的最大功率损耗。 PZM=UZIZM （5）最大允许耗散功率 PZM 是稳压管工作时的参考电流数值。 工作电流若小于稳定电流IZ，稳压性能较差； 工作电流若大于稳定电流，稳压性能较好，但是要注意管子的功率损耗不要超出允许值。 （4）稳定电流 IZ 最大稳定电流IZM:稳压管正常工作时允许通过的最大反向电流。 + _ U U0 UZ R 例题 稳压管的稳压作用 当UUZ时,电路不通；当UUZ大于时,稳压管击穿 此时 选R，使IZIZM 返回 15.5.1 基本结构 15.5.2 电流分配和放大原理 15.5.3 特性曲线 15.5.4 主要参数 15.5 半导体三极管 15.5.1 基本结构 结构 平面型 合金型 NPN（3D系列） PNP（3A系列） 半导体三极管图片 15.5.1 基本结构 发射结 集电结 B N N P 发射区 基区 集电区 E C N N P B E C C E B 发射结 集电结 B P P N 发射区 基区 集电区 E C P P N B E C C E B 15.5.2 电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共发射极接法 基极电路 (输入回路) 集电极电路(输出回路) 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.