集成电路芯片封装第3章节(一).pptVIP

2、厚膜电阻的电性能 厚膜电阻电性能包括初始电阻性能和时间相关性能 电阻温度系数 TCR：Temperature Coefficient of Resistance 电阻电压系数 VCR：Volt Coefficient of Resistance 电阻噪声和高压放电 时间相关：高温漂移、潮湿稳定性和功率承载容量 （1）初始电阻性能—电阻温度系数TCR 材料电阻随温度变化的特性称为电阻温度系数，温度-电阻之间的变化关系通常是非线性关系。 线性化 （2）初始电阻性能—电阻温度系数TCR 厚膜电阻制造完成后，应尽量保证TCR接近于零-随温度变化电阻值不发生改变：电阻稳定，可通过改变实际电阻浆料配比，以获得更佳的电阻-温度性能 【金属材料的TCR是正值，非金属材料的TCR为负值】 温度增加时，金属内电子云更加混乱；而非金属电子被牢固束缚于晶格位置，随能量增加了可运动电子数，温度升高时可成为良导体。 （3）初始电阻性能—电阻电压系数VCR 电阻电压系数表征电阻对高电压的敏感性，电阻漂移-电压梯度之间也是非线性关系。 电压增加时电阻浆料的半导体组分VCR是负值，电阻下降：电阻值越大的浆料VCR值越负。 相同成分和电压应力下，长电阻较之短电阻电位漂移要小：为什么？ P60 （4）初始电阻性能—电阻噪声 电阻噪声：指材料中基态电子发生跃迁时，出现的影响自由电子运动的现象。能级之间电位差越大，噪声越大。金属中大量的电子属于自由电子，电阻噪声小，而半导体材料电子噪声则较高。 厚膜电阻中有两种噪声源：热噪声和电流噪声。其中，热噪声多来自材料内部电子能级跃迁；而电流噪声则来自材料边界间的电子跃迁。 问题：改善电阻噪声的措施？P60 “白色”噪声和“粉红色”噪声 （5）时间相关电阻性能 【高温漂移】未调阻的厚膜电阻由于构成电阻本体的玻璃中应力释放会出现电阻值变化。常温下电阻值变化很小，高温会大大促进电阻值漂移。 【潮湿稳定性】湿度的改变会影响电阻阻值，进而加速厚膜电阻的失效，加速因子近500。 功率承载量：高功率导致的电阻漂移是由电阻内部发热引起的，不同于加热老化：局部发热远高于周围区域。相同功率载荷下，低值电阻漂移较小。 3、厚膜电阻工艺控制 为了控制厚膜电阻电性能，厚膜电阻的印刷和烧结工艺很关键，烧结过程中某一温度下停留时间的微小改变或烧结气氛参数控制不良均会对电阻阻值造成显著影响。 厚膜电阻的制作对烧结气氛要求很高，空气烧结的电阻系统要具有很强的氧化气氛，以防止还原性气氛里将金属氧化物还原为金属。高阻值电阻比低阻值电阻对气氛要求更加敏感。 四、厚膜介质材料 厚膜介质材料是以多层结构形式用作导体层间的绝缘体，可在介质层上留有开口区或通孔以便相邻导体层互连。 厚膜介质材料通常是结晶或可再结晶的，介质材料在较低温度下熔化后和玻璃相物质混合形成熔点比烧结温度更高的均匀组分，在随后烧结过程中保持固态，提供稳定的基础。 厚膜介质材料的烧结要求 烧结获得的厚膜介质材料膜必须连续、致密以起到消除层间短路的目的，但单层印刷烧结时往往存在有针孔等开口现象，通常需要烧结两次，以消除针孔和防止短路。 介质材料膜必须具有良好的CTE匹配性，以减少基板受热弯曲对引起的材料层间开裂。因此专门开发了与氧化铝基板几乎完全匹配的介质材料：P63-表3.3 五、釉面材料 釉面材料是可在较低温度下烧结的非晶玻璃，其作用是对电路提供机械保护和抗环境影响保护，阻挡焊料的散布、确保厚膜电阻调阻后的稳定性。 【桥连短路】：导体材料的延展 【金属迁移】：防止水膜形成和污染物浸入 【焊料量控制】：焊盘周围的釉面图案设计 【调阻稳定性】：增加颜料增强激光束的通过量业 P72：2,5 * Better management of cost structure对成本结构的更好的管理 Better Execution 更好的执行 Better Quality 更高的质量 * 第三章 厚/薄膜技术(一) 前课回顾 1.芯片互连技术的分类 2.WB技术、TAB技术与FCB技术的概念 3.三种芯片互连技术的对比分析 WB、TAB和FCB 芯片互连技术对比分析 一、厚膜技术简介 主要内容 二、厚膜导体材料 三、厚膜电阻材料 四、厚膜介质材料 五、釉面材料 1、膜技术简介 厚膜（Thick Film）技术和薄膜技术（Thin Film）是电子封装中的重要工艺技术，统称为膜技术。 可用以制作电阻、电容或电感等无源器件，也可以在基板上制成布线导体和各