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【2017年整理】ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能
第35卷第10期 华中科技大学学报(自然科学版) V01．35No．10
2007年 Univ．ofSci．＆Tech．(NatureS虬enceEditjon) Oct． 2007
10月 J．HuazhonE
ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能
范新会1 于灵敏1’2严 文1 朱长纯2
(1西安工业大学材料与化工学院，陕西西安710032；
2西安交通天学电子与信息工程学院，陕西西安710049)
t 1的四角状zno纳米线．利用多功能
摘要；在外加电场条件下．利用化学气相沉积法制备出了长径比为400
场发射测试仪对znO纳米线进行了场发射特性测试，研究了外加电场对znO纳米线生长的影响，讨论了
znO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因，结果表明：外加电场大大促进了四角状znO纳
mA／c一的开启场强仅为2．25
米线在一维方向上的生长，外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为O．1
V／“m，Zn0纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和．
关键词tZno纳米线；外加电场；场发射性；生长；四角锥状
中围分类号：TN304．9文献标识码：A 文章编号：1671—4512(2007)10—0098一03
The ofZnOnanowiresunderelectricfield
growth
andfieIdemission
property
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(1Sch001MatenalsandChe娜tryEngineering，XiTechnologicalUniversity，Xl’an71。032，China
2SchoolofElectronicandInformation Jia0 710049，Chi∞)
Engineering，xi’anTo“gUniver8ity。Xi’an
Zn0nanowireswith ratioof400：1were chemical
Abstract：Tetrapod aspect synthesizedby vapor
withthe electricfield．ThefieldemissioncharacterizationofZnOnanowireswas
depositionimpressed
measuredmiscellaneousfunctionfieldemission effectsof e—
by measuringinstrument，theimpressed
lectricfieldonthe ofZnOnanowire5wasstudied，andthecourseofthesaturationfieldemis—
growth
resealsshowedthatthe electricfieldacceIer—
sioncurre
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