C8鄄BTBT-发光学报.PDF

第36卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾36 No郾8 2015年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2015 文章编号:1000鄄7032(2015)08鄄0875鄄07 2,7鄄二辛基[1]苯并噻吩并[3,2鄄b]苯并噻吩(C8鄄BTBT) 与MoS 界面的能级匹配与薄膜生长 2 1 1* 1 1 1,2 吕摇 路 ,牛冬梅 ,谢海鹏 ,曹宁通 ,高永立 (1. 中南大学 先进材料超微结构与超快过程研究所,湖南 长沙摇 410083; 2. Department of Physics and Astronomy,University of Rochester,Rochester,NY14627,USA) 摘要:结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究 了C8鄄BTBT沉积在层状MoS 基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。 研究发现C8鄄BTBT分子竖直生 2 长在MoS 上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的 2 弯曲现象。 这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(兹)存在一定 的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级的弯曲。 同时兹 的变化也 会改变薄膜的表面极化强度,引起IP 的逐渐减小。 能级的弯曲在界面处形成类P鄄N结的效应会对 C8鄄BTBT 基电子器件的性能有很大的影响。 关摇 键摇 词:光电子能谱;C8鄄BTBT;能级匹配;分子取向;薄膜生长 中图分类号:O46摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0875 Energy Level Bending and Molecular Packing Mode of 2,7鄄diocty[1]benzothieno[3,2鄄b]benzothiophene(C8鄄BTBT) on MoS2 1 1* 1 1 1,2 LYU Lu ,NIU Dong鄄mei ,XIE Hai鄄peng ,CAO Ning鄄tong ,Gao Yong鄄li (1. Institute of Super鄄microstructure and Ultrafast Process inAdvancedMaterials,School of Physics and Electronics, Central South University,Changsha410083,China; 2. Department of Physics andAstronomy,University of Rochester,Rochester NY14627,USA) *Corresponding Author,E鄄mail:mayee@ Abstract:The energy level alignment,film growth and molecular orientation of